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Q2台积电占据全球62%晶圆代工市场，中芯国际继续稳居第三

近日，据市场研究机构CounterpointResearch最新公布的《晶圆代工季度追踪》报告指出，主要得益于强劲的AI需求，2024年第二季全球晶圆代工业市场营收环比增长约9%，同比增长约23%。从厂商排名来看，台积电、三星、中芯国际位列前三。报告指出，CoWoS供应仍然吃紧，未来产能扩张可能存在上行空间，重点是CoWoS-L。尽管非AI半导体（例如用于汽车和工业应用的半导体）的需求复苏较慢，但某些应用（例如物联网和消费电子产品）有一些紧急订单。值得注意的是，中国的晶圆代工和半导体市场复苏速度快于全球同行。其中，中芯国际和华虹等中国晶圆代工厂商公布了强劲的季度业绩和积极的指引，因为中国的无晶圆厂客户更早进入库存调整阶段。在各大代工厂方面，台积电以62%的市场份额稳居第一，同比增长4个百分点。报告指出，受人工智能加速器需求持续强劲增长的推动，台积电2024年第二季度的季度营收略有超出预期。因此，台积电进一步将其年度营收预期从之前的20%中低段上调至20%中段。此外，台积电预计，到2025年底或2026年初，人工智能加速器的供需平衡将保持紧张。该公司还计划在2025年将其CoWoS产能至少再翻一番，以满足客户对人工智能的强劲需求。此外，三星第二季的市场份额为13%，同比增长1个百分点。报告称，三星代工厂的收入环比增长，主要由于智能手机的库存预建和补货，在2024年第二季度以13%的市...

发布时间 : 2024 - 08 - 23

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前7个月中国芯片制造设备进口额达1855亿元

根据中国海关总署本周发布的最新贸易数据，今年1-7月中国企业进口了价值近260亿美元（约合1855亿元人民币）的芯片制造设备，这一数字超过了2021年同期创下的最高纪录（238亿美元）。过去一年，中国从Tokyo Electron（TEL）、ASML和应用材料等公司的采购量大幅增长。这种消费热潮推动荷兰对华出口创下新高，7月份出口额超过20亿美元，这是有史以来第二次超过20亿美元。荷兰公司ASML第二季度对华销售额飙升21%，达到其总收入的近一半，销售额由不受限制的旧系统组成。中国进口继续保持高位。即使在美国及其盟友禁止中国企业采购最先进的设备后，中国企业仍在迅速扩大采购规模。国际半导体产业协会（SEMI）6月份估计，继今年中国芯片制造商的晶圆产量增幅达到15%之后，预计到2025年，其晶圆产量将增长14%，达到每月1010万片，占全球芯片产量的近三分之一。美国一直在收紧限制中国在半导体和人工智能等关键技术领域发展的规定。这些措施包括多次实施出口管制，限制先进芯片和制造这些部件的设备销售。来源：集微网

发布时间 : 2024 - 08 - 23

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软银与英特尔合作对抗英伟达，但以失败告终

据英国金融时报报道，软银曾与英特尔进行谈判，生产人工智能（AI）芯片以与英伟达竞争。但由于英特尔难以满足软银的要求，该计划最终失败。软银CEO孙正义计划投资数十亿美元，令软银进入人工智能热潮的中心。利用英特尔的美国代工厂制造AI芯片可能会使软银获得拜登政府《芯片法案》提供的资金，这一资金是美国政府用以支持美国半导体的生产。另一方面，英特尔首席执行官Pat Gelsinger正试图让英特尔重回全球芯片制造的领先地位。3月，英特尔从美国政府处获得近200亿美元的资金和贷款，随后，英特尔大力投资，试图在芯片制造领域赶上竞争对手台积电和三星，并为该公司的代工业务吸引新的大客户。软银与英特尔的谈判未能取得成果。目前，软银已与台积电进行了谈判，但尚未达成协议，因为台积电难以满足包括英伟达在内的现有客户的需求。软银将谈判破裂归咎于英特尔，称这家芯片制造商无法满足其对产量和速度的要求。他们还称，鉴于拥有生产尖端人工智能处理器所需能力的芯片制造商数量有限，谈判可能会重新开始。据悉，孙正义正向谷歌和Meta等全球最大的几家科技集团推销，试图为自己的这项新事业争取支持和资金。孙正义所主张的重点是，软银可以帮助对抗英伟达的市场霸主地位。英伟达曾一度成为全球最有价值的公司，其AI芯片是市场上最受欢迎的产品，被广泛应用的软件平台Cuda支撑了英伟达的主导地位。来源：集微网

发布时间 : 2024 - 08 - 21

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在先进制程的赛道上，3nm制程的热度还未完全消退，2nm制程的角逐已正式开启，在苹果、高通、联发科这三大巨头里，联发科的动作相对更快。据媒体报道，联发科首席执行官蔡力行在COMPUTEX上发表主题演讲，蔡力行表示，过去10年，全球有超过200亿台设备搭载联发科芯片，地球上平均每人有2.5台设备采用联发科芯片。他还宣布，联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段，相较3nm制程，2nm性能将提升15%，功耗下降25%。根据爆料的消息，联发科今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程，明年下半年的天玑9600则会升级为全新的台积电2nm工艺，这将是联发科第一款2nm芯片。据悉，台积电2nm制程采用全新的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）架构，相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。伴随着2nm时代的到来，其成本也会跟着水涨船高，消息称台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%，这将导致终端旗舰掀起新一轮涨价潮。来源：电子创新网

发布时间 : 2025 - 05 - 21

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台积电将提高先进制程晶圆价格：2nm工艺晶圆涨价10%

全球领先的晶圆代工厂台积电近日宣布，将对其先进制程晶圆价格进行调整。据知情人士透露，这一价格调整主要受到海外建厂成本上升及资本支出计划的影响。具体来看，台积电的2nm工艺晶圆价格将较此前上涨10%，若以去年300mm晶圆预估的3万美元计算，新定价将达到3.3万美元左右。此外，台积电还将对其4纳米制造节点的价格进行调整，涨幅预计在10%至30%之间。此次价格调整是台积电在全球半导体供应链中的重要举措，反映了公司在应对全球芯片需求增长和成本上升方面的策略调整。台积电此举旨在保持其在半导体制造领域的竞争力，同时确保公司能够持续投资于研发和扩大生产能力。台积电此次涨价的原因主要有两个方面。首先，公司在美国等海外地区建设晶圆厂的成本上升，这直接导致了生产成本的增加。其次，台积电需要回收其今年高达380亿至420亿美元的资本支出计划，这也是涨价的一个重要考量。台积电的价格调整可能会对整个半导体行业产生连锁反应。一方面，这可能会增加下游客户的成本，尤其是那些依赖台积电先进制程的客户。另一方面，价格上涨可能会影响台积电的市场份额，尤其是在竞争激烈的晶圆代工市场。然而，考虑到台积电在技术上的领先地位，其价格调整可能不会对其市场地位造成太大影响。面对成本上升和市场需求的双重压力，台积电正在积极采取措施以维持其业务的稳定增长。公司将继续加大研发投入，以保持技术领先，并扩大其在全球的生产网络，以满足不断增...

发布时间 : 2025 - 05 - 21

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台积电：今年将建9座工厂，3nm产能将增加60%

台积电副总经理张宗生15日在技术论坛上表示，随着全球AI应用与高效能运算（HPC）需求快速扩张，台积电持续加快制程升级与全球建厂脚步，今年预计新增9座厂区，包括8座晶圆厂与1座先进封装厂，3nm今年产能将大幅提升，成长有望超过6成。台积电3nm量产已经迈入第三年，张宗生指出，今年3nm产能预计年增加60%，2025年下半年将开始量产2nm。CoWoS持续扩充，海外美国厂与日本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到，AI驱动晶圆需求持续放大，台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与海外扩建9个厂，包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去平均每年盖5个厂，中国台湾方面台中Fab 25厂预计2028年量产2nm与更先进技术，高雄预计建五座晶圆厂包含A16与更先进制程技术。封装领域方面，张宗生表示，台积电3D Fabric平台整合SYC与COAS技术，在复杂性大幅提升的同时仍维持高良率表现。自2022年至2026年，SYC与COAS产能分别成长逾100%与80%。位于台中、嘉义、竹南与龙潭的新封装厂将支援大量AI与HPC应用需求，并规划设立海外封装基地。来源：艾邦半导体网

发布时间 : 2025 - 05 - 16

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AI引爆市场增长，2024年全球芯片市场规模达6830亿美元

5月13日消息，市场研究机构Omdia发布的最新报告显示，英伟达在2024年全球芯片公司营收排名中跃居首位，这一突破性表现标志着AI驱动的半导体产业迎来结构性变革。与此同时，英飞凌和意法半导体因传统市场需求疲软跌出前十名，凸显行业分化加剧的趋势。 AI与HBM需求引爆市场增长Omdia数据显示，2024年全球芯片市场规模达到6830亿美元，同比增长25%，创下历史新高。这一增长主要得益于AI相关芯片的强劲需求，尤其是高带宽内存（HBM）的爆发式增长。AI服务器对算力的极致追求推动HBM成为市场“香饽饽”，SK海力士、美光等厂商的HBM产能在2024年已全部售罄，三星更计划将HBM供应量提升至去年的3倍以上。TrendForce数据显示，2024年HBM在DRAM总产值中的占比已超过20%，预计2025年将突破30%，其单价较传统DRAM高出5倍，成为拉动存储市场增长的核心引擎。行业格局大洗牌：AI与内存厂商崛起在2024年半导体营收排名前二十的芯片供应商中，与AI和内存相关的公司表现亮眼。英伟达凭借AI GPU的绝对优势，全年营收同比激增125%，以超过1243亿美元的IC设计收入占据全球前十IC设计公司总营收的50%，其数据中心业务收入占比持续提升，成为首家登顶全球芯片营收榜首的无晶圆厂企业。三星、SK海力士、美光则受益于HBM和DRAM价格回升，分别以11.8%、7....

发布时间 : 2025 - 05 - 15

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英国部署全球第二台200kV电子束光刻设备

近日，英国南安普敦大学宣布，成功开设了日本以外首个分辨率达 5 纳米以下的尖端电子束光刻 (EBL) 中心，可以制造下一代半导体芯片。这也是全球第二个，欧洲首个此类电子束光刻中心。据介绍，该电子束光刻中心采用了日本JEOL的加速电压直写电子束光刻 (EBL) 系统，这也是全球第二台200kV 系统（JEOL JBX-8100 G3）（第一台在日本），其可以在 200 毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理。这可以在厚至 10 微米的光刻胶中实现，且侧壁几乎垂直，可用于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。JEOL的第二代EBL 设备——100kV JEOL JBX-A9 将计划用于支持更大批量的 300 毫米晶圆。来源：中电网

发布时间 : 2025 - 05 - 09

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