石墨烯是一种六方点阵蜂窝状结构的二维( 2D) 材料，由sp2杂化碳原子相互连接构成。目前，应用较为广泛的制备石墨烯方法主要有: 机械剥离法、Hummers 法( 制备石墨烯的化学氧化-还原法) 、化学气相沉积法( CVD) 和外延生长法等。机械剥离法制备的石墨烯完整度较高，但是操作复杂，可控性低，成本较高且效率低下，实际生产中很少被采用; 化学氧化-还原法操作简单，可以制备大规模石墨烯，被广泛用于石墨烯复合材料制备，但氧化石墨烯表面的含氧官能团不能完全被还原，易出现结构缺陷，空洞等破坏石墨烯共轭大π 键，影响石墨烯的导电性能; CVD 法制备的石墨烯完整度很高，在精细加工领域，比如集成电路方面，可以充分发挥其优势，但由于其在金属层上沉积，需要腐蚀掉金属层才能得到石墨烯，成本较高; 外延生长法得到的石墨烯，难转移、不能精确控制石墨烯厚度，很难得到大尺寸、高均匀性的石墨烯，原料碳化硅又十分昂贵，不适合一次性制得大量的石墨烯。由于石墨烯优异的导电、导热性能、光学性能及机械性能，使其成为集成电路、场效应晶体管、光电器件及传感器的热门材料，本文综述了近年来石墨烯电子器件的研究进展。1 石墨烯在集成电路中的应用目前，市场主要使用2D 硅基集成电路，工艺成熟价格便宜。但随着集成电路集成度不断提高，芯片上的器件单元数量急剧增加，芯片面积增大，单元间连线的增长既影响电路工作速度又占用很多面积，严重...
发布时间 :
2019
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05
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