9月19日，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式，基地已进入量产准备阶段。此前，三安光电斥巨资在长沙建设第三代半导体产业园，哈勃科技投资有限公司也出手投资了国内领先的第三代半导体材料公司。“投资热”的戏码频繁上演，表明第三代半导体产业的发展已成为半导体行业实现突破的关键环节。格局呈美欧日三足鼎立态势由于基于硅材料的功率半导体器件的性能已接近物理极限，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体凭借其优异的材料物理特性，在提升电力电子器件性能等方面展现出了巨大潜力。特性优越、应用广泛的第三代半导体材料吸引了国内外企业纷纷对其加码抢滩，而碳化硅和氮化镓无疑是第三代半导体发展的核心方向。全球SiC的产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势。美国的科锐、德国的英飞凌、日本的罗姆这三家公司占据了全球SiC市场约70%的份额，其中科锐、罗姆实现了从SiC衬底、外延、设计、器件及模块制造的全产业链布局。SiC的产业链主要由单晶衬底、外延、器件、制造和封测等环节构成。在全球SiC产业链中，美国占据全球SiC市场70%～80%的产量，拥有科锐、道康宁、II-VI等在SiC生产上极具竞争力的企业。欧洲在SiC产业链的单晶衬底、外延、器件等环节均有布局，拥有较完整的SiC产业链。欧洲在该领域内的代表公司有英飞凌、意法半导体等，且主流器件生产厂商采用IDM模式。日本则是设备、器件方面...
发布时间 :
2020
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09
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