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  • 在日前的法说会上,富士康刘扬伟也透露了他上任后对鸿海未来三到五年发展的规划蓝图。他说,过去集团主要核心技术是模具,近年来因为竞争更加激烈,与对手的差距缩小,他们需要投入新产业,加快转型步伐。以毛利提升作为标准,刘扬伟的愿景是在2025年达成10%毛利的目标。目前鸿海正在进行「Foxconn2.0」的数位转型阶段,希望透过客户体验、智能决策以及营运效益三大领域的优化,来提升整体营运状况。其中,除了传统IT的翻新外,组织文化转型也是目标之一。目前Foxconn2.0已推动两个月,有一万多人参与,1,500名主管需要重新接受训练。他们预估2.0阶段能拉升约1%的毛利,至于要达到10%的目标,则有赖于「Foxconn3.0」,转型升级的阶段。刘扬伟说,在Foxconn3.0阶段,鸿海会着重于三大未来产业与三大核心技术的发展上。三大产业为电动车、数位医疗与机器人;三大技术为AI、半导体与5G/6G。在日前举办的进博会上,富士康也展出了几款芯片,其中多核心智能边缘运算解决方案(BOXiedge)可应用于智能制造、智能零售、智能医疗、智能农业等领域,能够高度整合AI加速软、硬件技术的应用。机器视觉芯片则能有效应用于机器视觉与图像处理。NB-IoT芯片支持多样性的终端设备与云端互连应用;多核心边缘运算芯片则以5W超低CPU功耗适用于智能边缘运算应用。为何是选择这三个产业呢?刘扬伟表示,这些产业的年...
    发布时间 :  2019 - 11 - 14
  • 数字时代,随着数据存储的需求呈现指数级别的增长,存储市场迎来蓬勃发展的机遇。中国作为全球重要的存储市场,一直备受瞩目。在集邦咨询旗下DRAMeXchange于11月27日主办的“2020存储产业趋势峰会”上,紫光存储将展出涵盖嵌入式存储、NAND颗粒、消费级SSD、企业级SSD和安全存储等全系列的存储产品。嵌入式存储产品线嵌入式存储方面,紫光存储将在本次峰会中推出包含eMCP、eMMC和UFS等多种产品。据了解,紫光存储eMCP是高品质的闪存+内存二合一存储产品,内含eMMC存储控制器,适用于高集成度的应用环境。紫光存储eMCP产品eMMC则采用先进的3D NAND工艺,具备强大的电源管理功能和出众的性能。紫光存储eMMC产品而UFS在读写速度上表现非常强劲,是一种为极低功耗的智能手机与平板电脑等计算及移动系统设计的先进高性能产品。紫光存储UFS产品NAND颗粒产品线在NAND颗粒方面,紫光存储将展出适用于各类固态存储解决方案的3D TLC NAND FLASH。它提供消费级和企业级两种等级,以及各种容量可选。紫光存储3D TLC NAND FLASH颗粒消费级SSD产品线紫光存储还具备从消费级到企业级的高性能SSD产品。例如,在消费级SSD中,紫光存储既提供了适配于SATA接口的S100和S5170产品,也推出了适配于PCIe接口的P100和P5160产品。其中,S100和S51...
    发布时间 :  2019 - 11 - 13
  • 台积电冲刺5纳米以下先进制程,南科晶圆18厂是重要主力。台南市经发局昨(12)日表示,台积电南科5纳米厂目前已进入试产,预计明年量产,3纳米新厂可望于明年动工,总计5纳米与3纳米投资额达1.15兆元。台积电强调,不只南科18厂将是历年最大投资金额的旗舰厂,未来5纳米和3纳米也将成台积电营收逾五成的最先进制程,是台湾及全球半导体产业极具重要的生产据点。台积电昨天股价涨4元、收305元,外资转卖2,390张;ADR周二早盘跌约0.1%。业界指出,台积电5纳米以下先进制程都是分期布建产能,若加计竹科总部等资源,台积电5纳米以下投资总金额上看1.5兆元,是近年台湾岛内最大手笔投资。随着台积电大手笔投资先进制程技术,有助巩固其全球晶圆代工龙头地位,持续拉大与三星、英特尔等对手的差距。台积电5纳米和3纳米投资计划全数集中在南科,被列为台积电南科晶圆18厂,去年元月动工,预定明年正式量产,将是全球首座提供5纳米制程晶圆代工服务的厂区,预计共有三期厂房。行政院长苏贞昌上周拍板定案南科扩编基地落脚台南,外界关心台积电投资案进度。台南市经发局昨天在市政会议进行业务报告表示,台积电5纳米厂投资金额约5,500亿元,今年第1季已进入试产阶段,进程顺利,预计明年量产,可带来约4,000个就业机会。3纳米新厂则投资约6,000亿元,预定地位在南科园区最北端,预计明年动工,2022年量产,可创造约5,000个就...
    发布时间 :  2019 - 11 - 13
据长沙高新区报道,集成电路成套装备国产化集成及验证平台项目的主体厂房预计9月可以实现封顶,明年2月可完成厂房机电安装及配套设施建设,明年3月工艺设备将进场,明年6月可完成安装调试,明年11月实现整线试生产。根据资料显示,长沙高新区集成电路成套装备国产化集成及验证平台项目总投资25亿元,占地183亩,总建筑面积为12.7万平方米。该项目于2018年11月28日开工建设,主要建设一条8英寸集成电路装备验证工艺线,打造国家集成电路装备创新中心,建立并提供装备技术标准。项目建成后将为国内提供标准化集成电路装备,并为军民用芯片提供可信代工。据了解,该项目主要成果为集成电路装备、整线集成和军民用芯片。中电科电子装备集团有限公司党委书记、董事长,48所党委书记左雷,中电科电子装备集团有限公司副总经理,48所所长、党委副书记龚杰洪,长沙高新区党工委书记周庆年等建议,设立集成电路发展产业基金,对集成电路设计、制造、封顶等专项进行支持,并尽快设立湖南集成电路装备制造业创新中心等集成电路研发创新平台,大力促进湖南在集成电路设计、材料制备、装备制造、封装等领域实现产业链聚集发展。来源:长沙高新区版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
发布时间 :  2019 - 08 - 08
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加快建设现代产业体系工业和信息化部党组成员、副部长  陈肇雄加快建设实体经济、科技创新、现代金融、人力资源协同发展的产业体系,是以习近平同志为核心的党中央把握全球产业变革趋势、针对我国经济发展实际作出的重大决策部署,是建设现代化经济体系的重要方面。加快建设现代产业体系,必须坚持以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,着力提升我国产业发展的层次和水平,推动我国产业发展迈向全球产业链价值链中高端。建设现代产业体系正当其时   建设现代产业体系,更加强调把发展经济的着力点放在实体经济上,更加注重生产要素之间的匹配与互动,促进更多技术、资本、劳动力等生产要素融入实体经济,从而不断提高科技创新对实体经济发展的贡献率,不断增强现代金融服务实体经济的能力,不断优化人力资源支撑实体经济发展的作用。  顺应新一轮科技革命和产业变革的战略选择。从人类社会现代化进程看,科技革命必然带来产业变革,并深刻改变世界发展格局。当今世界,以数字化、网络化、智能化为特征的新一轮科技革命方兴未艾,世界经济加速向数字化转型,顺应科技创新大势、抓住产业变革历史机遇已经成为提高我国产业发展层次和水平的关键。建设现代产业体系,就是要紧紧抓住新一轮科技革命和产业变革同我国转变发展方式历史性交汇的战略机遇,加快推动我国产业向全球产业链价值链中高端迈进,为实现“两个一百年”奋斗目标奠定坚实物质基础。  转变发展方式、实...
发布时间 :  2019 - 08 - 08
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四年前,南京江北新区(以下简称“江北新区”)提出大力发展集成电路产业,那时产业界对江北新区知之甚少。但江北看准了台积电的12英寸晶圆厂项目,提出以项目为龙头,从无到有,大力发展集成电路。4年后江北新区已成不得小觑的“芯片之城”,可以说,江北新区对集成电路产业的发展做出了突出贡献。而这个产业贡献还在愈演愈烈!南京江北新区6月28日,江北新区正式对外发布了《南京江北新区集成电路人才试验区政策(试行)》,引起业界广泛关注。《韩非子·五蠹》有云:不期修古,不法常可。对于江北新区而言,人才,一直被新区视为最宝贵的资源,此次“新政”对集成电路产业发展带来了众多利好。新政给集成电路产业带来的利好《中国集成电路产业人才白皮书(2017—2018)》显示,到2020年,我国集成电路行业人才需求约达72万,而现有人才存量仅40万,人才缺口达32万。集成电路产业是智力密集型产业,人才成为以集成电路产业为主导的城市争抢的重要资源。江北新区“新政”对加快海外人才回流,健全人才培养体系,创新企业的扶持上都有着强大的利好作用。利好一:加速海外人才回流政策第二条就指出:“加快集聚海外人才。对海外集成电路领域人才来新区发展的,配备服务专员,提供全程代办服务,优先协调解决出入境、人才住房、子女入学、医疗保障、创新创业等服务需求。”截止到今年一季度,新区累计迎来海外留学归国人员2805人,他们激情满怀地在这片...
发布时间 :  2019 - 08 - 06
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集成电路被称为信息技术产业的“粮食”,是所有电子产品的核心部件。但与此同时,集成电路也是一个“烧钱”的行业。流片作为芯片生产过程中重要的一环,也是极为耗钱的一个环节。 以台积电的5nm与7nm为例,据透露,台积电5nm全光罩流片费用大概要3亿人民币,而且费用还不包含IP授权,所以目前看来只有苹果和华为海思准备切入到这一最先进的工艺节点,其他家芯片厂都还在考虑阶段。台积电第二代7nm EUV工艺的流片费用大约为3000万美元,大约在2亿人民币左右。 尽管鲜有本土IC企业会触及5nm、7nm工艺,但从其中也能感受到流片费用的耗钱程度。 因此,“流片补贴”也成为我国集成电路相关政策中重要的补贴项目。深圳 今年4月29日,深圳市人民政府办公厅印发了《关于加快集成电路产业发展若干措施》,多措施推进深圳集成电路产业重点突破。 其中,专门指出将加强对设计企业流片支持。对于使用多项目晶圆进行研发的设计企业,给予多项目晶圆直接流片费用最高70%、年度总额不超过300万元的资助。对于首次完成全掩膜工程产品流片的企业,给予流片费用最高50%、年度总额不超过500万元的资助。 此外,深圳坪山科技创新局还专门开展了2019年集成电路第三代半导体专项资金申报工作。 在支持流片专项资助方面,对集成电路设计企业参加MPW项目,按MPW直接费用的...
发布时间 :  2019 - 08 - 06
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据中新网8月3日报道, 国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待。据了解,长江存储科技有限责任公司是国家存储器基地项目的实施主体。根据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示,武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展,长江存储器基地一期已实现量产,一季度产能达到5000片/月,办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。2019年7月3日,湖北省委副书记、省长王晓东在调研国家存储器基地时指出,要优化环境、全力支持,更大力度争取国家支持并落实支持政策,完善服务机制,当好项目“秘书”,解决实际难题,全力保障国家存储器基地建设,为加快“一芯两带三区”区域和产业发展布局提供重要支撑。据了解,国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。根据此前的资料显示,长江存储今年底前将正式量产64层3D NAND产品,明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距。国家存储器基地的建立,以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,标志着芯片自主创新之路迈出可靠而...
发布时间 :  2019 - 08 - 05
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