台积电董事长刘德音昨(31)日主持台湾半导体产业协会(TSIA)年度论坛结语时透露,台积电会加大研发能量,将于竹科新建研发中心,打造成台湾的贝尔实验室,预计再扩增8,000名研发大军,投入未来二、三十年科技和材料研发及半导体产业的基础研究。台积电目前在晶圆代工先进制程领先全球,这是刘德音首次针对台积电即将打造的全新研发中心,提出未来研发方针及定位。业界解读,台积电此举将可更进一步巩固领先地位,狠甩英特尔、三星等劲敌。台积电过去五年已投资逾500亿美元在技术研发,以台积电打算打造台湾贝尔实验室的计划,预定未来几年仍会投入数百亿美元在新科技和新材料的研发,持续扮演台湾半导体业领头羊。台积规划新研发中心,基地位于新竹县宝山乡,面积约32.7公顷,已向竹科管理局提出扩建计划,目前全案已进入环评补件阶段,根据台积电之前的资料,整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设,耗资超过4000亿新台币,折合879亿人民币或者130亿美元。。台积电幕僚表示,未来台积电3纳米以下的研发都会在此研发中心进行。由于摩尔定律逐渐到了物理极限,3nm被认为是最后的一代硅基半导体工艺,因为1nm节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题,三星宣布在3nm节点使用GAA环绕栅极晶体管工艺,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增...
发布时间 :
2019
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