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  • 近日,深圳市坪山区发布2019年度经济发展专项资金集成电路第三代半导体专项申报指南,提出对符合条件的集成电路企业提供包括信贷融资、用房、落户、核心技术和产品攻关等方面的资金支持。落户方面,坪山区对新设立或新迁入的设计、设备和材料类集成电路企业,设立或迁入后第一年或第一个会计年度内实缴资本超过2000万元的,对于新设立的企业,按照设立后第一年或第一个会计年度实缴资本的 10%,给予每家企业最高500万元的资助;对于新迁入的企业,按照迁入后第一年或第一个会计年度追加实缴资本的 10%,给予每家企业最高500万元的资助。制造、封测类企业落户奖励专项资助上,坪山区对新设立或新迁入的制造、封测类集成电路企业,第一年或第一个会计年度实际完成工业投资5000万元以上(含)的,按照企业当年实际完成工业投资额的10%,给予每家企业最高1000万元的资助。在支持核心技术和产品攻关专项资助上,坪山区支持企业开展集成电路高端通用器件(CPU、GPU、存储器等)、第三代半导体器件(功率半导体器件等)、关键设备(光刻机、刻蚀机、离子注入机、气相沉积设备等)、核心材料(第三代半导体材料、靶材、光刻胶、感光胶等)、先进工艺(堆叠式封装等)等技术研发和产品攻关,按研发投入的10%,给予每家企业年度最高500万元的资助。
    发布时间 :  2019 - 04 - 17
  • 4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品。与7纳米工艺相比,三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。同时由于工艺改进,其功耗降低了20%、性能提高了10%,从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。跨越到5纳米工艺,除了在功率性能区域(PPA)的数据提高之外,客户还可以充分利用EUV(极紫外光刻)技术,推动产品接近性能极限。除此之外,还可以将7纳米的相关知识产权重用到5纳米工艺上,使得客户从7纳米向5纳米过渡时可以大幅降低成本,缩短5纳米产品的开发周期。三星表示,自2018年第四季度以来,三星5纳米产品就拥有了强大的设计基础设施,包括工艺设计工具、设计方法、电子设计自动化工具和IP。此外,三星晶圆厂已经开始向客户提供5纳米多项目晶圆服务。2018年10月,三星宣布将首次生产7纳米制程芯片,这是三星首个采用EUV光刻技术的产品。目前,三星已于今年年初开始批量生产7纳米芯片。除了7纳米与5纳米之外,三星还在与客户开发6纳米芯片,同样是一种基于EUV技术的芯片产品。
    发布时间 :  2019 - 04 - 16
  • 新京报讯(记者 马婧)4月14日,新京报记者从爱立信处获悉,由于相关企业对爱立信在中国知识产权许可业务的投诉,国家市场监督管理总局近日启动对爱立信相关许可业务的调查。爱立信表示,将全力配合此次调查;在调查进行期间,不会再做进一步评论。爱立信称,基于公平、合理和非歧视(FRAND)原则,对所拥有的业内领先的专利组合进行许可,并且始终致力于严格遵循这一原则。此前有媒体报道称,近日,国家市场监管总局突击检查电信设备制造商爱立信在北京的办公室,并在现场进行举证。此前已有业内传言称,多家手机厂商向国家市场监管总局举报,投诉爱立信在3G和4G标准必要专利(SEP)许可市场存在违反《反垄断法》的行为。
    发布时间 :  2019 - 04 - 15
2018年10月14日,中国国务院总理李克强在《欧洲时报》发表题为《故友新知 共创未来》的署名文章。李克强强调:“中国在优化营商环境、扩大外资市场准入、保护知识产权等方面的力度会更大,步伐会更快,这是我们对世界的承诺,更是中国自身发展的需要。我们会朝着既定的目标坚持不懈走下去”。文章如下:故友新知 共创未来中华人民共和国国务院总理 李克强  很高兴作为中国总理首次访问荷兰。于我而言,荷兰不但不陌生,反而很熟悉。20多年前,我在中国地方工作时就曾到访荷兰,贵国发达的现代农业、旅游业、港口、物流等,给我留下深刻印象。可以说,我这次来,也是探访故友。  这些年,尽管没有到访,但我一直关注荷兰发展和中荷关系。我高兴地看到,近年来两国关系与合作不断向前发展。特别是2014年习近平主席成功对荷兰进行国事访问,中荷建立起开放务实的全面合作伙伴关系。今年以来,威廉-亚历山大国王和吕特首相2个月内相继访华,创造了中荷关系史上新的纪录。  中荷两国有句意思相近的成语——趁热打铁。我愿通过此次访问荷兰,推动两国关系与合作持续发展。  荷兰所能引发的联想非常丰富——在历史学家、经济学家的眼中,荷兰是第一家股份制公司、股票交易所和现代银行的诞生地;企业家们说起荷兰,津津乐道于这片土地培育了一批知名跨国公司;人文学者们仰慕荷兰在艺术、哲学等领域对世界的贡献;在游客的旅行印象里,荷兰是风景如画的“欧洲花园”“风...
发布时间 :  2018 - 10 - 16
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10月12日,由中国科学院集成电路创新研究院(筹)工艺总体部策划并组织的“集成电路先导技术系列研讨会”在中科院微电子所成功举办。微电子所党委副书记(主持工作)、副所长、集成电路创新研究院筹建组副组长戴博伟出席会议并致辞,所长助理、先导中心主任王文武研究员,科技处孙文勇副处长,先导中心韦亚一、都安彦、殷华湘、谢玲、罗军、杨涛、吴振华、粟雅娟、杨红等科研骨干出席并合影。韦亚一研究员主持“先进光刻——先进节点设计与工艺协同优化技术”会场,他诚挚欢迎高校和企业研究学者和技术专家参会,希望大家畅所欲言,加强合作与交流。粟雅娟副研究员介绍会议背景,简要介绍了中科院微电子研究所的历史、架构、人才培养、科研方向和研究成果,介绍了中国科学院集成电路创新研究院(筹)的筹建思路、未来规划和任务使命,介绍了在设计与工艺协同优化研发方向的未来研究趋势和研讨会主题。陈睿副研究员介绍了我所期刊JoMM,期刊致力于出版先进微电子制造技术,以高质量的SCI期刊为目标,涵盖了从早期学术理论、实验到工业化制造应用半中导体制造科学与技术的研究。北京大学刘晓彦教授、复旦大学微电子学院解玉凤副教授、睿初科技(深圳)有限公司肖艳军产品经理、明导(上海)电子科技有限公司杜春山技术主管、新思科技(上海)有限公司孟晓东经理受邀参加了本主题研讨会。中国科学院微电子研究所韦亚一、谢常青、粟雅娟、陈睿、张利斌、苏晓菁等技术骨干参加并讨论。...
发布时间 :  2018 - 10 - 16
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1958年,杰克•基尔比先生和罗伯特•诺伊斯先生,先后发明了基于不同材料的集成电路,随着CPU、存储器等的发明和创新应用,人类文明进入了信息化时代。为纪念集成电路发明60周年,由中国电子学会、国家自然科学基金委员会信息科学部、中国科学院信息技术科学部、中国工程院信息与电子工程学部共同主办、清华大学微电子学研究所、北京未来芯片技术高精尖创新中心协办的“纪念集成电路发明60周年学术会议”于10月11日在清华大学举办。会议现场清华大学副校长王希勤在致辞中指出,集成电路是国之重器,是信息社会各行各业的基石。清华大学深度参与创新驱动发展战略的实施,要在国家集成电路的发展中有所作为。王希勤介绍了清华大学近年来在人事改革、教学改革、科研改革、现代化治理体系改革等方面的举措,提出集成电路这一学科的发展对学校事业发展有着重要的作用,要举全校之力培养出一批集成电路领军人才,为中国集成电路的自主创新发展贡献力量。王希勤致辞工业和信息化部电子信息司吴胜武副司长,中国电子学会副理事长、中国科学院副院长李树深院士分别代表指导和主办单位致辞。吴胜武表示,中国集成电路产业机遇与挑战并存,要坚持创新驱动发展战略,持续加大研发投入,持续推进国际合作,建设国家级集成电路创新平台。李树深表示,60年来,集成电路支撑着庞大的军民和民用市场,我们要向60年前的两位发明人致敬,用更多的电子信息技术服务人类社会发展。吴胜武致辞李...
发布时间 :  2018 - 10 - 15
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金风送爽、春华秋实,值此收获时节,喜迎华虹无锡项目又一阶段性成果——华虹七厂F1生产厂房最后一榀钢屋架吊装顺利完成。自8月12日F1生产厂房首榀钢屋架吊装至今,争分夺秒的两个月里,工地现场不间断交叉作业,一派热火朝天的景象。今天,无锡市副市长、高新区党工委书记、新吴区委书记王进健,华虹集团党委书记、董事长张素心,高新区党工委副书记、管委会副主任、新吴区委副书记、副区长洪延炜,以及总包联合体十一科技和上海建工集团、同济监理相关领导等共计200余人再次齐聚一堂,共同见证华虹七厂F1生产厂房钢屋架吊装顺利完成。华虹宏力党委书记、执行副总裁、华虹半导体(无锡)副总裁徐伟主持仪式。他首先向出席领导和嘉宾致意,接着介绍了近两个月以来的项目建设进展:“主厂房钢结构共计1.18万吨,主桁架99榀,托桁架64榀;挖土方近2万立方米,支模板11万立方米,绑扎钢筋近6000吨,浇筑砼近51万立方米。目前项目整体进展顺利,钢屋架吊装进度节点较原计划(10月25日)提前了13天,预计2018年底主体结构完成。”随后总包联合体十一科技院长何平和上海建工集团董事长徐征也分别发表致辞。华虹和无锡在共同推进信息产业高质量发展的新征程中再迈出了坚实的一步,王进健副市长表示:“将会以更加主动的态度、更为积极的措施为华虹项目建设、投产提供全面服务,全力支持华虹公司在锡投资经营、发展壮大。”项目建设高筑安全防线,把牢品质标...
发布时间 :  2018 - 10 - 15
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(香港讯,2018年10月10日)全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业--华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)宣布,其第二代0.18微米/40VBCD工艺平台已经成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,其导通电阻低至 20 mOhm.mm2,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-Area, SOA),保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件,包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外,该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse,从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。目前,在与国内外多家客户紧密合作下,公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证,并成功进入量产。以绿色科技为主导,电源管理技术扮演着举足轻重的地位。华虹半导体已引入全面的电源管理(PMIC)BCD工艺方案,在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来,华虹半导体将继续发挥在BCD...
发布时间 :  2018 - 10 - 12
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