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  • 发布独立AI芯片，高通再对云端市场发起冲击
    发布独立AI芯片，高通再对云端市场发起冲击
    上周，高通在Qualcomm AI Day活动上，公布了其专用AI芯片Cloud AI 100的开发日程，目前预定于2020年正式投入商用。高通作为移动时代的芯片业领军人物，在人工智能时代的动作确实慢了一拍，本文将分析Cloud AI 100芯片对于高通的机会和挑战，以及在系统厂商造芯越来越多的今天传统通用型芯片公司遇到的困境。Cloud AI 100剑指云端市场在高通的官方发布会上，宣布了对于Cloud AI 100的重要信息。首先，该芯片是一块专用于云端推理市场的ASIC专用加速器。该定位类似Google的第一代TPU，也和Nvidia对于T4的定位接近，即在云端专门执行训练好的模型计算，而非用来训练模型。根据高通的数据，Cloud AI 100的峰值算力将达到Snapdragon 820的50倍以上，可达350TOPS。其次，Cloud AI 100将使用TSMC 7nm HPC工艺，这意味着该芯片将直接面向高端市场。高通投入这一块云端推理专用ASIC芯片，主要目的也是不希望错过大数据和人工智能时代的机会。我们都知道，高通时移动通信时代（大约1995-2015的二十年）的绝对霸主，但是当我们的科技进入大数据和人工智能时代时，高通看上去却是缺席了。在移动端遭遇苹果专利战以及华为技术赶超的今天，高通也急需找到其他市场的战略立足点以避免过于依赖移动市场带来的风险，因此高通布局人工智...
    发布时间 :  2019 - 04 - 19
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  • 集成电路布图设计审查与执法指南：奏响知识产权领域保护强音
    集成电路布图设计审查与执法指南：奏响知识产权领域保护强音
    近日，国家知识产权局印发《集成电路布图设计审查与执法指南（试行）》（下称《指南》）。国家知识产权局知识产权保护司（下称保护司）有关负责人表示：“《指南》的制定是对全国知识产权系统多年审查与执法实践经验的提炼与总结，也是落实机构改革赋予国家知识产权局新职能的具体成果，有利于凸显集成电路布图设计作为知识产权类型的重要地位”。维护合法权益　　集成电路是一种微型电子器件，广泛应用于计算机、通讯设备、家用电器等电子产品之中。集成电路是微电子技术的核心，是电子信息技术的基础，对其布图设计的知识产权保护是世界各国知识产权领域比较关注的热点问题。据悉，世界上许多国家都通过单行立法对集成电路布图设计进行了保护，我国也于2001年出台了《集成电路布图设计保护条例》（下称《保护条例》）对集成电路布图设计提供保护。 　　“自《保护条例》施行以来，我国集成电路布图设计保护工作呈现良好发展态势。”保护司有关负责人表示，近年来，我国集成电路布图设计登记申请数量持续快速增长，截至2018年底，国家知识产权局共收到4431件集成电路布图设计登记申请；统计数据显示，近4年来，我国集成电路布图设计登记申请量年均增长率为24.6%；截至目前，国家知识产权局共办结集成电路布图设计撤销请求案件13件……一个个真实的数字，彰显了社会对集成电路布图设计保护意识的不断增强。 　　“根据相关工作实践，国家知识产权...
    发布时间 :  2019 - 04 - 19
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  • 兆易创新•合肥工业大学GD32 MCU联合实验室揭牌仪式隆重举行
    兆易创新•合肥工业大学GD32 MCU联合实验室揭牌仪式隆重举行
    2019年4月12日，兆易创新·合肥工业大学GD32 MCU联合实验室揭牌仪式于合肥工业大学仪器科学与光电工程学院科技楼报告厅隆重举行。领导致辞参加此次揭牌仪式的有兆易创新MCU事业部总经理邓禹、兆易创新MCU事业部产品市场总监金光一、兆易创新公共关系处资深顾问陈友稼、兆易创新公共关系处合肥总经理李勤、合肥工业大学教务处处长陈翌庆、合肥工业大学就业办主任丁兆罡、合肥工业大学仪器学院党委书记钟军、合肥工业大学仪器学院副院长夏豪杰、合肥工业大学仪器学院党委副书记、副院长黄飞、Arm中国教育计划专员王梦馨、国家芯火计划计划上海基地部长沈国荣、国家芯火计划上海基地资深工程师韩芳、国家级合肥经济技术开发区管理委员会科技局副局长邹春森、以及仪器学院的学生代表等。此次揭牌仪式由仪器学院副院长夏豪杰主持。仪器学院党委书记钟军致欢迎词。钟书记表示合肥工业大学作为老牌的工科院校，一直以来为国家输送无数优质的工科人才，而仪器学院作为合肥工业大学的王牌学院，更是在国家教育部学科排名中位列同类全国第八，钟书记希望通过联合实验室的共建作为纽带实现仪器学院与兆易创新的强强联合，使联合实验室成为同学们创新的良好平台，推动仪器学科建设以及人才的培养工作。兆易创新MCU事业部总经理邓禹对兆易创新创业历史、GD32 MCU作为中国32位通用MCU第一品牌的发展与成就、“兆易创新杯”研电赛和大学计划等内容进行了...
    发布时间 :  2019 - 04 - 18
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中国科学院集成电路创新研究院(筹)2018年“集成电路先导技术—先进光刻”研讨会成功举办
中国科学院集成电路创新研究院(筹)2018年“集成电路先导技术—先进光刻”研讨会成功举办
10月12日，由中国科学院集成电路创新研究院（筹）工艺总体部策划并组织的“集成电路先导技术系列研讨会”在中科院微电子所成功举办。微电子所党委副书记（主持工作）、副所长、集成电路创新研究院筹建组副组长戴博伟出席会议并致辞，所长助理、先导中心主任王文武研究员，科技处孙文勇副处长，先导中心韦亚一、都安彦、殷华湘、谢玲、罗军、杨涛、吴振华、粟雅娟、杨红等科研骨干出席并合影。韦亚一研究员主持“先进光刻——先进节点设计与工艺协同优化技术”会场，他诚挚欢迎高校和企业研究学者和技术专家参会，希望大家畅所欲言，加强合作与交流。粟雅娟副研究员介绍会议背景，简要介绍了中科院微电子研究所的历史、架构、人才培养、科研方向和研究成果，介绍了中国科学院集成电路创新研究院（筹）的筹建思路、未来规划和任务使命，介绍了在设计与工艺协同优化研发方向的未来研究趋势和研讨会主题。陈睿副研究员介绍了我所期刊JoMM，期刊致力于出版先进微电子制造技术，以高质量的SCI期刊为目标，涵盖了从早期学术理论、实验到工业化制造应用半中导体制造科学与技术的研究。北京大学刘晓彦教授、复旦大学微电子学院解玉凤副教授、睿初科技(深圳)有限公司肖艳军产品经理、明导（上海）电子科技有限公司杜春山技术主管、新思科技（上海）有限公司孟晓东经理受邀参加了本主题研讨会。中国科学院微电子研究所韦亚一、谢常青、粟雅娟、陈睿、张利斌、苏晓菁等技术骨干参加并讨论。...
发布时间 :  2018 - 10 - 16
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纪念六十年，展望一世纪 ——纪念集成电路发明60周年学术会议在清华大学举办
纪念六十年，展望一世纪 ——纪念集成电路发明60周年学术会议在清华大学举办
1958年，杰克•基尔比先生和罗伯特•诺伊斯先生，先后发明了基于不同材料的集成电路，随着CPU、存储器等的发明和创新应用，人类文明进入了信息化时代。为纪念集成电路发明60周年，由中国电子学会、国家自然科学基金委员会信息科学部、中国科学院信息技术科学部、中国工程院信息与电子工程学部共同主办、清华大学微电子学研究所、北京未来芯片技术高精尖创新中心协办的“纪念集成电路发明60周年学术会议”于10月11日在清华大学举办。会议现场清华大学副校长王希勤在致辞中指出，集成电路是国之重器，是信息社会各行各业的基石。清华大学深度参与创新驱动发展战略的实施，要在国家集成电路的发展中有所作为。王希勤介绍了清华大学近年来在人事改革、教学改革、科研改革、现代化治理体系改革等方面的举措，提出集成电路这一学科的发展对学校事业发展有着重要的作用，要举全校之力培养出一批集成电路领军人才，为中国集成电路的自主创新发展贡献力量。王希勤致辞工业和信息化部电子信息司吴胜武副司长，中国电子学会副理事长、中国科学院副院长李树深院士分别代表指导和主办单位致辞。吴胜武表示，中国集成电路产业机遇与挑战并存，要坚持创新驱动发展战略，持续加大研发投入，持续推进国际合作，建设国家级集成电路创新平台。李树深表示，60年来，集成电路支撑着庞大的军民和民用市场，我们要向60年前的两位发明人致敬，用更多的电子信息技术服务人类社会发展。吴胜武致辞李...
发布时间 :  2018 - 10 - 15
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刚刚，华虹七厂F1生产厂房最后一榀钢屋架吊装顺利完成
刚刚，华虹七厂F1生产厂房最后一榀钢屋架吊装顺利完成
金风送爽、春华秋实，值此收获时节，喜迎华虹无锡项目又一阶段性成果——华虹七厂F1生产厂房最后一榀钢屋架吊装顺利完成。自8月12日F1生产厂房首榀钢屋架吊装至今，争分夺秒的两个月里，工地现场不间断交叉作业，一派热火朝天的景象。今天，无锡市副市长、高新区党工委书记、新吴区委书记王进健，华虹集团党委书记、董事长张素心，高新区党工委副书记、管委会副主任、新吴区委副书记、副区长洪延炜，以及总包联合体十一科技和上海建工集团、同济监理相关领导等共计200余人再次齐聚一堂，共同见证华虹七厂F1生产厂房钢屋架吊装顺利完成。华虹宏力党委书记、执行副总裁、华虹半导体（无锡）副总裁徐伟主持仪式。他首先向出席领导和嘉宾致意，接着介绍了近两个月以来的项目建设进展：“主厂房钢结构共计1.18万吨，主桁架99榀，托桁架64榀；挖土方近2万立方米，支模板11万立方米，绑扎钢筋近6000吨，浇筑砼近51万立方米。目前项目整体进展顺利，钢屋架吊装进度节点较原计划（10月25日）提前了13天，预计2018年底主体结构完成。”随后总包联合体十一科技院长何平和上海建工集团董事长徐征也分别发表致辞。华虹和无锡在共同推进信息产业高质量发展的新征程中再迈出了坚实的一步，王进健副市长表示：“将会以更加主动的态度、更为积极的措施为华虹项目建设、投产提供全面服务，全力支持华虹公司在锡投资经营、发展壮大。”项目建设高筑安全防线，把牢品质标...
发布时间 :  2018 - 10 - 15
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华虹半导体第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台成功量产
华虹半导体第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台成功量产
（香港讯，2018年10月10日）全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业--华虹半导体有限公司（“华虹半导体”或“公司”，股份代号：1347.HK）宣布，其第二代0.18微米/40VBCD工艺平台已经成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.mm2，达到该节点领先工艺水平，可提高产品的驱动能力，减小芯片面积，扩大高压管安全工作区（Safe-Operation-Area, SOA），保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件，包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外，该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse，从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。目前，在与国内外多家客户紧密合作下，公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证，并成功进入量产。以绿色科技为主导，电源管理技术扮演着举足轻重的地位。华虹半导体已引入全面的电源管理（PMIC）BCD工艺方案，在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来，华虹半导体将继续发挥在BCD...
发布时间 :  2018 - 10 - 12
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国产氮化物半导体研究取得重大进展
国产氮化物半导体研究取得重大进展
美国物理学会Physical Review Letters（PRL）期刊2018年10月5日在线发表了北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心和“新型半导体低维量子结构与器件”创新群体的最新研究成果“Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN”。III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体具有一系列优异的物理、化学性质，是发展半导体照明、新一代移动通信、新一代通用电源、新能源汽车、固态紫外光源等不可替代的新型半导体材料。掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一，确定C杂质在GaN中的晶格位置对于解决上述问题至关重要。由沈波教授领导的北京大学宽禁带半导体研究团队与其合作者近期在这一问题上取得了重要进展。该团队与中科院苏州纳米所和中国科技大学等合作单位采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合...
发布时间 :  2018 - 10 - 12
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