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  • 2月6日,美光科技宣布已交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并将率先搭载于即将上市的小米10智能手机。作为小米的内存技术合作伙伴,美光所供应的 LPDDR5 DRAM 芯片将带来更低的功耗和更快的数据读取速度,以满足消费者对于智能手机中人工智能 (AI) 和 5G 功能日益增长的需求。美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理 Raj Talluri指出,美光推出业界首款应用于智能手机的低功耗 DDR5 DRAM芯片,将加速 5G 和 AI 应用的部署,与前代产品相比,它的数据访问速度提升了 50%,功耗则降低了 20% 以上。小米集团副总裁常表示,美光 LPDDR5 DRAM 内存具备市场领先的性能,为小米 10 智能手机带来更低的功耗,同时还确保了更出色的性能和稳定性。常程认为,LPDDR5 将成为 2020 年旗舰手机的标配。美光该款 LPDDR5 DRAM 芯片将有效应对汽车、客户端电脑以及 5G 和 AI 应用专属网络系统等各类市场对于更高内存性能和更低功耗的需求。与 LPDDR4x 内存相比,LPDDR5 可以降低超过 20% 的功耗。来源:全球半导体观察版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
    发布时间 :  2020 - 02 - 07
  • 韩国存储器大厂三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高宽带)DRAM。这是第3代HBM技术,未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年内,于Nvidia 2019年GTC(GPU技术大会)首次宣布Flashbolt HBM DRAM,这项储存技术预计用于AMD和Nvidia即将推出的高性能GPU。三星第3代HBM技术,HBM2E Flashbolt DRAM可达到每针脚最高3.2Gbp/s的最大数据传输速度,较前一代最高2.4Gbps的最大数据传输速度提升33%。三星解释,就是1秒内能传输82部高画质影片。另外,透过缓冲芯片顶部垂直堆栈的8层10纳米级(1y)16Gb DRAM,可达16GB最大容量。该HBM2E封装是以40,000多个直通硅通孔(TSV)微型凸块的精确排列互连,每个16Gb芯片均包含5,600多个此类微小孔。三星指出,在超频环境下,HBM2E Flashbolt DRAM可提供每针高达4.2Gb/s数据传输速率,和538GB/s的DRAM频宽。三星表示,这些DRAM芯片将于2020上半年投产。目前除三星外,韩国另一家存储器大厂SK Hynix也正在积极开发HBM2E的DRAM产品,预计也是2020年投产,使HBM2E DRAM产品市场竞争加剧。来源:全球半导体观察、TechNe...
    发布时间 :  2020 - 02 - 05
  • 为抗战新型冠状病毒感染肺炎,1月27日,北京市政府通知曾服务于2003年“非典”疫情的北京小汤山医院再次启用,以应对可能发生的疫情。中兴通讯助力中国移动北京公司立即响应北京市政府要求,第一时间展开网络保障工作,3天内即完成小汤山医院2G/4G扩容及5G信号全覆盖,为打赢这场疫情防控攻坚战做好了充分准备。1月27日,中兴通讯即组织专家团队协同中国移动北京公司对小汤山医院移动网络进行综合测试和评估,当天即完成应急通信车架设和开通;随后经过两昼夜不间断奋战,到1月29日,已经将规划区域内现有全部4G基站扩容至满配置,同时积极协同院方补充覆盖区域,使移动4G信号覆盖到院区每一个角落。同时,小汤山医院5G网络也于1月30日实现完全覆盖。目前,小汤山医院院区内手机信号良好覆盖,5G信号覆盖小汤山医院及周边,可完全满足院区内医务人员通信、远程会诊等多种需求。中兴通讯将持续全力支持中国移动北京公司做好北京小汤山医院通信网络保障工作。中兴通讯正全力投入全国疫情救助工作,实时响应各地通讯网临时建设需求,在生产、配送、施工、开通各个环节全力以赴,确保责任区域通信畅通无阻,为尽快尽早遏制疫情贡献力量。来源:中兴通讯版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
    发布时间 :  2020 - 02 - 03
10月22日-24日,IMT-2020(5G)推进组C-V2X工作组、中国智能网联汽车产业创新联盟、中国汽车工程协会、上海国际汽车城(集团)有限公司共同在上海举办C-V2X“四跨”互联互通应用示范活动,实现国内首次“跨芯片模组、跨终端、跨整车、跨安全平台C-V2X应用示范。中兴通讯参加此次“四跨”演示活动,并成功演示了4类V2I场景(限速预警SLW、前方桥梁预警BAW、弱势交通参与者提醒VRU、红灯预警RLVW和绿波车速引导GLOSA)、3类V2V场景(前向碰撞预警FCW、盲区预警BSW、故障车辆提醒AVW)以及4个安全机制验证场景(伪造限速预警防御、伪造红绿灯信息防御、伪造紧急车辆防御和伪造前向碰撞预警防御)。在此次演示活动中,中兴通讯提供了完全自主研发的C-V2X模组和OBU,实现了跨“模组-终端-CA服务-车厂”的全方位演示,有效验证了中兴通讯在C-V2X的整体解决方案,为C-V2X产品的大规模商用奠定了基础。本次活动在2018年“三跨”互联互通应用演示的基础上,重点增加了通信安全演示场景,有效验证了C-V2X通信安全技术解决方案,协力共促包含安全的完整C-V2X产业链形成。作为全球通信技术的领导者,中兴通讯有着深厚的技术积累和丰富的经营经验,致力于开发引领5G、车联网、物联网的未来技术。在延续传统车规级模组优势的同时,中兴通讯积极推动C-V2X的发展。除了本次参加演示的C-...
发布时间 :  2019 - 10 - 24
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中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”,上交所股票代码:688012)宣布公司荣获首届上海市知识产权创新奖(保护类)。该创新奖由上海市政府和世界知识产权组织(WIPO)首次联合颁发,旨在表彰奖励本市在知识产权创造、保护、运用方面具有突出成就的创新主体。2019年5月,上海市启动了该奖项的评选工作,历时近4个月,经5轮筛选,中微公司等9家企事业单位脱颖而出,分别获得了“上海市知识产权创新奖”的创造、保护和运用三类奖项。中微公司是首批科创板上市公司之一,是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司,为全球集成电路和LED芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量服务。中微公司基于在半导体装备产业多年耕耘积累的专业技术,涉足半导体芯片前端制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观制程的高端设备领域,瞄准世界科技前沿,坚持自主创新。中微公司长期坚持研发创新,并高度重视知识产权管理和国际保护,建立了较为科学的研发和知识产权保护体系。中微公司的专利曾荣获“中国专利金奖”、“中国专利优秀奖”、“上海市发明创造奖”、“浦东新区优秀专利奖”。中微公司于2017年、2018年连续入选科睿唯安发布的《2017年中国大陆创新企业百强》、《2018年中国大陆创新企业百强》。12年来,中微公司成功应对来自三家国际半导体设备领先公司的数轮国际知识产权诉讼挑战,涵盖商业秘密...
发布时间 :  2019 - 10 - 23
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近日,长沙市委书记胡衡华专题调研集成电路产业链时指出,长沙发展集成电路产业的重点在于设计和设备、第三代半导体、功率半导体以及集成电路在北斗、智能驾驶等领域的融合应用。为加快推进新一代半导体和集成电路产业发展,近日,长沙市政府发布《关于印发长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策的通知》。根据文件内容,该政策共十二条,其中第一条主要明确支持范围和重点,第二条、第三条主要明确产业专项资金和基金,第四条至第十条,主要明确支持范围及支持方式,第十一条,主要明确资金使用方式,第十二条为附则,主要明确实施期限和政策有效期。以下为政策的主要内容:· 设立规模为3亿元的产业发展专项资金,用于支持新一代半导体和集成电路产业及企业发展,重点支持企业研发创新、人才培育、市场拓展及重大项目的引进、新(扩)建。· 充分发挥政府产业引导基金的作用,鼓励发起设立长沙市新一代半导体和集成电路产业发展投资子基金,子基金规模可增加至100亿元。· 对企业的晶圆(MPW)试流片、全掩膜(FULL MASK)工程产品首次流片,购买IP核费用,分别给予该企业实际交易额60%,50%,50%的补贴,最高补贴500万元。· 对企业采购长沙市内企业生产的材料、芯片、关键零部件及设备,按照采购金额的10%给予补贴,单个企业最高500万元。...
发布时间 :  2019 - 10 - 23
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10月16日,中国一汽与中兴通讯在吉林长春签署战略合作协议,中国一汽董事长徐留平和中兴通讯董事长李自学出席签约仪式。双方将在5G自动驾驶、车路协同、智能制造、智慧园区、法务合规等业务领域展开深入合作,并联合开展基于5G网络建设、5G的创新应用场景、方案研究及相关标准和课题的申报等方面的工作,加快5G新应用的研发和商业化进程,共同打造5G行业应用示范。 当前全球汽车业正在进入巨大的变革时期,其中变革的关键因素除了消费者的推动,其主要的驱动力包括:新能源汽车、智能网联技术、新材料技术和人工智能。这四大领域当中,创新和融合正在加速推动汽车产业变革时期的到来。同时当下汽车产业的变革和转型正处于阵痛期,新产业形态处于孵化和塑造期,也是旧产业形态的一种淘汰期。中兴通讯高度重视汽车产业向数字化、智能化的发展,为了更好地服务汽车产业,于2018年12月6日正式成立一级子公司深圳市英博超算科技有限公司,并成功完成了“挚途4.0计算平台项目”的第一阶段交付验收工作,为中国一汽开发了红旗PHEV H7高速L3自动驾驶样车。此次中国一汽与中兴通讯的战略合作,将进一步助力中国一汽抢占智能网联和智能制造核心技术制高点。根据中国一汽与中兴通讯签署的战略协议,双方将共同探索5G、C-V2X、云计算、边缘计算等技术与智能驾驶、智能制造等技术的深度融合,在智能网联汽车的产品研发、生产、测试、运营、服务、管理...
发布时间 :  2019 - 10 - 22
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2019年10月21日,上海新阳半导体材料股份有限公司(以下简称“上海新阳”)与合肥新站高新技术产业开发区管委会签订《上海新阳半导体材料股份有限公司第二生产基地项目投资合作协议》,启动位于合肥新站高新技术产业开发区的第二生产基地项目建设。根据上海新阳的公告指出,该项目主要从事用于芯片制程使用的关键工艺材料的研发、生产和销售。经初步测算,该项目总投资金额约为6亿元人民币,占地面积115亩,项目计划分二期建设。其中一期投资约3亿元人民币,占地50亩,项目一期计划于三年内完成建设并投产。二期投资约3亿元人民币,占地约65亩。一期达产后形成年产15000吨超纯化学材料产品的生产能力,包括芯片铜互连超高纯电镀液系列产品4500吨、芯片高选择比超纯清洗液系列产品8500吨、芯片高分辨率光刻胶系列产品500吨、以及芯片级封装与集成电路传统封装引线脚表面处理功能性化学材料1500吨。上海新阳表示,随着半导体产业快速持续的发展,公司目前的产能已不足以满足未来客户需求,扩大产能成为迫切需要。项目投产将使公司超纯化学材料产品的产能获得极大提高。本项目建设符合公司长期发展的战略需求。版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
发布时间 :  2019 - 10 - 22
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