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  • 2月6日,美光科技宣布已交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并将率先搭载于即将上市的小米10智能手机。作为小米的内存技术合作伙伴,美光所供应的 LPDDR5 DRAM 芯片将带来更低的功耗和更快的数据读取速度,以满足消费者对于智能手机中人工智能 (AI) 和 5G 功能日益增长的需求。美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理 Raj Talluri指出,美光推出业界首款应用于智能手机的低功耗 DDR5 DRAM芯片,将加速 5G 和 AI 应用的部署,与前代产品相比,它的数据访问速度提升了 50%,功耗则降低了 20% 以上。小米集团副总裁常表示,美光 LPDDR5 DRAM 内存具备市场领先的性能,为小米 10 智能手机带来更低的功耗,同时还确保了更出色的性能和稳定性。常程认为,LPDDR5 将成为 2020 年旗舰手机的标配。美光该款 LPDDR5 DRAM 芯片将有效应对汽车、客户端电脑以及 5G 和 AI 应用专属网络系统等各类市场对于更高内存性能和更低功耗的需求。与 LPDDR4x 内存相比,LPDDR5 可以降低超过 20% 的功耗。来源:全球半导体观察版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
    发布时间 :  2020 - 02 - 07
  • 韩国存储器大厂三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高宽带)DRAM。这是第3代HBM技术,未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年内,于Nvidia 2019年GTC(GPU技术大会)首次宣布Flashbolt HBM DRAM,这项储存技术预计用于AMD和Nvidia即将推出的高性能GPU。三星第3代HBM技术,HBM2E Flashbolt DRAM可达到每针脚最高3.2Gbp/s的最大数据传输速度,较前一代最高2.4Gbps的最大数据传输速度提升33%。三星解释,就是1秒内能传输82部高画质影片。另外,透过缓冲芯片顶部垂直堆栈的8层10纳米级(1y)16Gb DRAM,可达16GB最大容量。该HBM2E封装是以40,000多个直通硅通孔(TSV)微型凸块的精确排列互连,每个16Gb芯片均包含5,600多个此类微小孔。三星指出,在超频环境下,HBM2E Flashbolt DRAM可提供每针高达4.2Gb/s数据传输速率,和538GB/s的DRAM频宽。三星表示,这些DRAM芯片将于2020上半年投产。目前除三星外,韩国另一家存储器大厂SK Hynix也正在积极开发HBM2E的DRAM产品,预计也是2020年投产,使HBM2E DRAM产品市场竞争加剧。来源:全球半导体观察、TechNe...
    发布时间 :  2020 - 02 - 05
  • 为抗战新型冠状病毒感染肺炎,1月27日,北京市政府通知曾服务于2003年“非典”疫情的北京小汤山医院再次启用,以应对可能发生的疫情。中兴通讯助力中国移动北京公司立即响应北京市政府要求,第一时间展开网络保障工作,3天内即完成小汤山医院2G/4G扩容及5G信号全覆盖,为打赢这场疫情防控攻坚战做好了充分准备。1月27日,中兴通讯即组织专家团队协同中国移动北京公司对小汤山医院移动网络进行综合测试和评估,当天即完成应急通信车架设和开通;随后经过两昼夜不间断奋战,到1月29日,已经将规划区域内现有全部4G基站扩容至满配置,同时积极协同院方补充覆盖区域,使移动4G信号覆盖到院区每一个角落。同时,小汤山医院5G网络也于1月30日实现完全覆盖。目前,小汤山医院院区内手机信号良好覆盖,5G信号覆盖小汤山医院及周边,可完全满足院区内医务人员通信、远程会诊等多种需求。中兴通讯将持续全力支持中国移动北京公司做好北京小汤山医院通信网络保障工作。中兴通讯正全力投入全国疫情救助工作,实时响应各地通讯网临时建设需求,在生产、配送、施工、开通各个环节全力以赴,确保责任区域通信畅通无阻,为尽快尽早遏制疫情贡献力量。来源:中兴通讯版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
    发布时间 :  2020 - 02 - 03
台积电7nm产能爆棚苦主出现?美商超威(AMD)日前透过电邮宣布,原定9月底上市的Ryzen 9 3950X处理器将延至11月推出,尽管超威未透露新品「迟到」的原因,但因3950X采用台积电7nm生产,业界认为,应与台积电7nm满载、供不应求有关。 超威先前曝光3950X规格,包括16核心、32 线程,处理器基本频率为3.5GHz,超频可达到4.7GHz,功耗105W,并强调,当玩家接触到全球首款16核心桌机处理器,和下一代高阶桌机处理器时,等待是值得的。 对于3950X延后推出,业界人士分析,包括苹果A13处理器、华为海思芯片和5G基站芯片及超威GPU等都集中在下半年陆续拉货,导致台积电7nm产能爆满,交货时间也从2个月拉长到6个月,显然产能不足也让客户感受到新产品面临迟到的压力。 延长7nm产品交货时间前不久,台积电公布的8月份营收显示,当月合并营收1061.8亿新台币(约合242亿人民币),环比增长25.2%,同比也大涨了16.5%。台积电营收大涨的主要功臣是7nm工艺,主要客户包括苹果、AMD、华为、赛灵思、高通等,不过现在这一轮增长的主要动力还是华为、苹果,两家公司为Q3季度的麒麟990、A13处理器备货带动了7nm订单的增长。 DigiTimes昨天援引匿名业界内部消息报道,台积电目前的7nm产品交货时间由原本的2个月延长至接近6...
发布时间 :  2019 - 09 - 25
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日刊工业新闻23日报导,根据日本半导体制造装置协会(SEAJ)公布的初步统计显示,2019年8月份日本制半导体(芯片)设备销售额(3个月移动平均值)较去年同月萎缩11.5%至1,605.11亿日圆,连续第7个月陷入萎缩、且减幅连续第7个月达2位数(10%以上)。2019年6月份日本芯片设备销售额大减23.1%、创2013年6月(大减29.6%)以来最大减幅。累计2019年1-8月期间日本芯片设备销售额较去年同期下滑14.5%至1兆3,110.72亿日圆。SEAJ并同时公布,2019年8月份日本FPD(平面显示器)制造设备销售额较去年同月下滑5.6%至453.43亿日圆,连续第6个月呈现减少。累计2019年1-8月期间日本FPD制造设备销售额较去年同期下滑7.7%至3,370.44亿日圆。日本主要晶片设备厂商包括东京电子(TEL、Tokyo Electron Limited)、Advantest Corp.、Screen Holdings、Nikon Corp.与Canon Inc.等。SEAJ 7月4日公布预测报告指出,因美中贸易摩擦导致全球景气恶化、记忆体厂商抑制投资,因此2019年度(2019年4月-2020年3月)日本制芯片设备销售额自1月时预估的2兆2,810亿日圆(年增1%)大砍至2兆2亿日圆、将年减11.0%,将结束连6年增长态势、且将创2012年(大减18.6%)以来...
发布时间 :  2019 - 09 - 24
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9月21日,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司(以下简称“杭州中欣晶圆”)大硅片项目在杭州钱塘新区竣工投产。此举标志着杭州中欣晶圆历时1年8个月的建设正式完工,完成了8英寸大硅片的正式量产,12英寸大硅片生产线进入调试、试生产阶段。图片来源:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司报道指出,杭州中欣晶圆竣工典礼标志着国内首家规模最大、技术最成熟、拥有自主核心技术的真正可量产半导体大硅片生产工厂成功开启,预计这一项目明年将实现月产35万枚8英寸半导体大硅片。众所周知,国内大尺寸硅片尤其是12英寸半导体大硅片的供应被国外企业所掌控,市场高度垄断。 杭州中欣晶圆大硅片项目的建成投产,将改变国内半导体大硅片完全依赖国外的现状,有效填补国内半导体大硅片供应的行业短板。在未来几个月内,杭州中欣晶圆将完成12英寸生产线的设备安装调试、工艺调试、品质认定等流程,在今年年底生产出高品质的12英寸半导体大硅片,明年初进入量产。12英寸半导体硅片生产线投产后,月产能能达到3万片,并将适时启动20万片产能产线的扩产,将大大缓解我国半导体大硅片供应不足的局面。杭州中欣晶圆计划于11月22日在杭州钱塘新区举办半导体大硅片全面量产典礼。版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
发布时间 :  2019 - 09 - 24
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9月21日,在2019世界制造业大会上,合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等举行了合肥长鑫集成电路制造基地项目签约仪式。该项目主要围绕长鑫存储项目布局上下游产业链配套,提供生活服务设施,致力于打造产城融合国家存储产业基地、世界一流的存储产业集群。据了解,合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元,选址位于合肥空港经济示范区,占地面积约15.2平方公里,由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目、空港集成电路配套产业园和合肥空港国际小镇三个片区组成。其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元,是安徽省单体投资最大的工业项目;空港集成电路配套产业园总投资超过200亿元,位于长鑫存储项目以西;合肥空港国际小镇总投资约500亿元,规划面积9.2平方公里,总建筑面积420万平方米,位于长鑫存储项目以北。值得注意的是,据新华网报道,就在签约的前一天(9月20日),长鑫存储内存芯片自主制造项目正式宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。而长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明也表示,投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。合肥长鑫集成电路制造基地全部建成后,预计可形成产值规模超2000亿元,集聚...
发布时间 :  2019 - 09 - 23
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日前,国家知识产权局发布公告称,依据《特殊标志管理条例》,对国务院新闻办公室提交的“中华人民共和国成立70周年”活动标志的特殊标志登记申请予以核准,核准使用商品及服务为《商标注册和服务国际分类》的全部45个类别,有效期限为2019年8月27日至2023年8月27日。  该标志由国务院新闻办公室于6月3日正式发布。国务院新闻办公室在庆祝活动标志的使用说明中,明确该标志用于各地各部门庆祝中华人民共和国成立70周年活动环境布置和群众性主题教育活动用品制作,并要求庆祝活动标志不得用于商业广告、制作商标或其他任何商业性用途,不得用于私人庆典和吊唁活动,而且以庆祝活动标志为元素制作的用品要与庆祝中华人民共和国成立70周年主题密切相关,不得乱用、滥用。  “国家知识产权局对庆祝活动标志的特殊标志登记申请予以核准,为庆祝活动标志的使用、管理与保护提供了有力依据,可有效防止被他人用于商业性用途及乱用、滥用,并防止被他人恶意申请注册商标及使用。”国家知识产权局知识产权保护司有关负责人表示,庆祝活动标志作为一个公益性特殊标志,体现了我国的国家尊严和形象,有必要依法依规加强保护,防止其他组织和个人以商业目的非法使用该特殊标志。  为了加强对特殊标志的管理,推动文化、体育、科学研究及其他社会公益活动的发展,保护特殊标志所有人、使用人和消费者的合法权益,我国制定了《特殊标志管理条例》,并于1996年7月13日...
发布时间 :  2019 - 09 - 23
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