据报道，三星计划斥资1,160亿美元用于其下一代芯片业务，其中包括为外部客户制造芯片代工业务，以期在2022年之前缩小与行业领导者台积电的差距。三星的策略是双重的：1.2022年下半年将量产3nm芯片，以与台积电匹配。2.如图1所示，采用更先进的全能栅极（GAA）技术代替TSMC的FinFET结构。图1资料来源：三星GAA在晶体管性能控制方面具有显着优势，因为它可以更精确地控制流经沟道的电流，缩小芯片面积并降低功耗。与FinFETs不同，在FinFETs中，更高的电流需要多个并排的鳍片，而GAA晶体管的载流能力通过垂直堆叠数个纳米片，栅极材料包裹在沟道周围而增加。三星声称，与7nm技术相比，其GAA工艺将能够使芯片面积减少45％，功耗降低50％，从而使整体性能提高35％。在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，三星工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造细节。三星表示，传统的GAAFET工艺使用三层纳米线构造晶体管，并且栅极相对较薄。此外，三星MBCFET芯片工艺使用纳米片构造晶体管。目前，三星已经为MBCFET注册了商标。三星表示，这两种方法都可以达到3nm。在本文中，我从技术，产能和资本支出重点探讨了三星公司目前和未来的能力（三星存储部门除外），以及三星是否确实能够缩小7纳米以下节点的差距。总产能三星是否有能力在台积电主导的市场中占据重要份额？这是一个很...
发布时间 :
2021
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03
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