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  • 12月3号,在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEEEInternational Electron Devices Meeting)上,来自IBM的报告介绍了一种新的8位模拟芯片。但真正的发展并不是模拟芯片追赶上了数字芯片,而是对芯片架构的彻底重新思考。该芯片是第一个在存储信息的地方执行8位计算的芯片。 这项研究的首席研究员Abu Sebastian(来自IBM苏黎世研究中心)说,在传统的冯·诺依曼芯片架构中,数据不断地在内存和处理器之间穿梭,这消耗了宝贵的能量和时间。内存计算是降低功耗同时提高性能的合乎逻辑的下一步。这方面的进步对于硬件跟上人工智能的发展是必要的。 IBM的新型模拟芯片是基于相变存储器的。关键成分是一种可以对电流作出反应而发生相变的材料。它们通常是锗、碲和锑的合金。在导电的那个相中,原子排列得很整齐。在另一个不导电的相中,原子四处运动,被电流局部加热,变得杂乱无章。 两个电极之间的相变材料不会像0和1那样在有序和杂乱的排列之间完全切换。相反,在任何时间点,都是两种排列的混合:材料的总电阻取决于原子杂乱排列的区域的大小。 Sebastian说:“我们正在根据原子排列对信息进行编码。”例如,神经网络的权重可以以相变存储器设备中的电阻的方式来存储和访问。 但这些电阻存在漂移和波动的问题。因为当读取信息时电...
    发布时间 :  2018 - 12 - 06
  • 为深入贯彻实施制造强国战略,根据工业和信息化部、财政部制定的《技术创新示范企业认定管理办法(试行)》(工信部联科〔2010〕540号),广东生益科技股份有限公司被授予“国家技术创新示范企业”称号。本批全国共认定了68家企业为“国家技术创新示范企业”,广东省共5家企业入选。 原文如下:工业和信息化部财政部关于公布2018年国家技术创新示范企业名单的通知工信部联科函〔2018〕420号各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团工业和信息化主管部门、财政厅(局),有关中央管理企业:为深入贯彻实施制造强国战略,根据工业和信息化部、财政部制定的《技术创新示范企业认定管理办法(试行)》(工信部联科〔2010〕540号),经审核,确定2018年国家技术创新示范企业名单,现予公布。有关事项通知如下:一、认定北京高能时代环境技术股份有限公司等68家企业为国家技术创新示范企业(具体名单见附件)。二、各地工业和信息化主管部门、财政厅(局)以及有关中央管理企业要充分发挥国家技术创新示范企业的带动作用,并认真总结经验,结合本地区、本单位实际,积极做好省级技术创新示范企业的认定工作,把企业技术创新工作引向深入。三、国家技术创新示范企业实行动态管理,每三年复核评价一次,对合格的示范企业予以确认,不合格的撤销称号。各地工业和信息化主管部门、财政厅(局)以及有关中央管理企业要按照要求认真做好相应管...
    发布时间 :  2018 - 12 - 06
  • 李克强主持召开国务院常务会议决定再推广一批促进创新的改革举措 更大激发创新创造活力通过《中华人民共和国专利法修正案(草案)》 有效保护产权有力打击侵权通过《生产安全事故应急条例(草案)》国务院总理李克强12月5日主持召开国务院常务会议,决定再推广一批促进创新的改革举措,更大激发创新创造活力;通过《中华人民共和国专利法修正案(草案)》,有效保护产权,有力打击侵权;通过《生产安全事故应急条例(草案)》。会议指出,按照党中央、国务院部署,京津冀、上海、广东等8个区域对促进创新的改革举措开展了先行先试。去年第一批13项改革举措已推向全国。会议决定,再将新一批23项改革举措向更大范围复制推广,更大力度激活创新资源、激励创新活动,培育壮大发展新动能。其中,在全国推广的主要包括:一是强化科技成果转化激励。允许转制院所和事业单位管理人员、科研人员以“技术股+现金股”形式持有股权。引入技术经理人全程参与成果转化。鼓励高校、科研院所以订单等方式参与企业技术攻关。二是创新科技金融服务,为中小科技企业包括轻资产、未盈利企业开拓融资渠道。推动政府股权基金投向种子期、初创期科技企业。创业创新团队可约定按投资本金和同期商业贷款利息,回购政府投资基金所持股权。鼓励开发专利执行险、专利被侵权损失险等保险产品,降低创新主体的侵权损失。三是完善科研管理。推动国有科研仪器设备以市场化方式运营,实现开放共享。建立创新决策容...
    发布时间 :  2018 - 12 - 06
近日,网宿科技宣布正式上线洛杉矶、新加坡和日本三大安全节点,大举拓展网宿云安全在海外地区市场及资源。同时,欧洲地区的安全节点也将于今年落地。届时,网宿的安全节点覆盖能力将辐射亚太、北美及欧洲地区,“网宿网盾”的安全防护网将更为紧密坚固。                 近年来,网络安全事件频发,网络安全的攻击性也越来越强。而随着互联网带宽规模的扩容,大流量攻击呈现不断增长的趋势,年均攻击规模以100G为单位逐年上升。数据显示,2013年以前,DDoS攻击规模基本没有超过200Gbps,到2016年6月,网宿平台成功抗击的DDoS攻击峰值达500Gbps;2017年,网宿平台成功抗击的DDoS攻击带宽峰值达到774Gbps。当前,数百G的流量攻击正在成为常态,网络安全形势愈发严峻,不排除2018年DDoS的T级攻击将会多次出现。市场呼唤更快捷专业的流量清洗技术,从而更快分散清洗攻击流量。此次网宿科技最新上线的海外安全节点,实现实时监测,且全部采用BGP Anycast技术,用智能化的调度机制,通过BGP AnyCast与DNS调度相结合的方式,将网络攻击分散开来,从而达到攻击流量智能分散及清洗的效果。事实上,网宿已经具备T级的DDoS防护能力。此次海外安全节点运用BGP AnyCast技术,将进...
发布时间 :  2018 - 03 - 08
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来源:富士康资料图原题目:政府报告明确了!集成电路被列入实体经济发展首位3月5日,第十三届全国人民代表大会第一次会议在北京人民大会堂开幕。集成电路也再次被写入政府工作报告。国务院总理李克强在《政府工作报告》“对2018年政府工作的建议”中指出,要加快制造强国建设。具体而言,主要是推动集成电路、第五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展,实施重大短板装备专项工程,发展工业互联网平台。大幅压减工业生产许可证,强化产品质量监管。全面开展质量提升行动,推进与国际先进水平对标达标,弘扬工匠精神,来一场中国制造的品质革命。值得注意的是,这并不是集成电路首次被列入政府工作报告。事实上,自2014年首次列入以来,集成电路已多次出现在政府工作报告中。不过与此前不同的是,此次集成电路被列入了实体经济发展的第一位。尽管集成电路产业没有出现在2016年《政府工作报告》中,但该报告提到“抓新兴产业培育”、“到2020年,先进制造业、现代服务业、战略性新兴产业比重大幅提升”等内容,2017年的《政府工作报告》即明确提出“要加快培育壮大新兴产业,加快集成电路等技术研发和转化,做大做强产业集群”。这也足以证明作为集成电路产业最大的产品需求国,中国实现集成电路产业国产化的迫切需求。尽管据工信部和海关总署统计的数据显示,2017年1-10月,集成电路产品进口金额高达2071.9亿美元,同比上涨14.5%...
发布时间 :  2018 - 03 - 08
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DRAM内存商用已历经50年,NAND Flash闪存面世也已经有30年,从最初的群雄并举演化到当前的寡头格局,地域上也可分出韩国、美日、和中国台湾这3个梯队;以长江存储、长鑫、晋华和紫光DRAM项目为主的中国新晋力量受到广泛关注。中国存储器产业如何发展?本文从纯市场的角度,就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考:DRAM数据来源:IHSPC:DDR4;利基:DDR3DDR3和DDR4内核并无本质差别,逻辑部分同为8位预加载,晶圆制成大同小异。定位PC和服务器市场,DDR4是不二选择。车载等利基市场产品应用滞后主流技术1代,定位利基市场需要在市场准入和可靠性方面打开局面并建立多产品小批次的运营模式,DDR3不失为一种选择,但是必须考虑到市场容量问题。目前市场上已经出现紫光国芯品牌的DDR3内存条,也许可以理解为是一种前奏。紫光国芯的前身为2003年建立的英飞凌西安DRAM设计部门,2009年被浪潮收购开始独立运作。紫光国芯具有一流的设计能力,从事利基型DRAM和设计服务,晶圆主要由台湾的合作伙伴供应。这种类似金士顿的模式需要强大的渠道控制力和品牌号召力,且成本较高;但是由此可以实现零的突破,建立品牌和分销模式,为今后的大发展奠定一个基础。移动:LPDDR4移动DRAM在受手机市场的推动量价齐升。根据IDG公布的数字,2017年全球智能手机年产量14....
发布时间 :  2018 - 03 - 07
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根据韩国媒体的报导,韩国存储器大厂三星已经确认,将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂,用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。之前,韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平泽市官员说法报导指出,三星电子将召开管理委员会议,决定是否兴建第2座芯片厂,并于农历新年后宣布决定。报导指出,总投资额可能约为30万亿韩元(约27.6亿美元)。而根据《FN News》的进一步报导,目前三星已经在韩国平泽市有了一座大型工厂,这座工厂从2017年开始在进行64层堆叠NAND Flash快闪存储器颗粒的生产工作。而新工厂暂时名为P2 Project,就在距离旧工厂不远处。目前该新工厂的投资额达30万亿韩元(约27.6亿美元),不过暂时不清楚是初步投资金额还是总投资金额。至于会采用独资或者是合资的方式来兴建,三星目前也没有透露更多的消息。报导进一步指出,现在这座新工厂已经开始建设,而且管道铺设工程也已经接近尾声。未来,新工厂完成兴建之后,将会拥有同时生产DRAM、NAND Flash快闪存储器的能力。但是目前三星并没有对外披露具体的生产计划。外界预估,届时DRAM、NAND Flash快闪存储器的生产应该会各占产能的一半,而且三星会根据市场的需要进行动态调整,以此来决定DRAM或NAND Flash快闪存储器的产能高低。根据规划,三星的这一座新工厂将会在2019年年底完工。因为,...
发布时间 :  2018 - 03 - 06
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来源:小米官网原题目:雷军:小米预计最早今年底进军美国智能手机市场3月5日下午消息,小米目前正在为其备受期待的首次公开募股(IPO)进行筹备,同时该公司最早将于今年开始在美国市场上销售智能手机产品。总部位于北京的小米是中国排名第四的智能手机生产商,该公司近些年来在印度和东南亚等新兴市场上已经获得了巨大的成功,并且已经进入了部分西方国家市场,例如西班牙,该公司今年早些时候在西班牙开设了零售店。雷军表示:“我们一直在考虑进军美国市场。我们计划在2018年底或是2019年初正式进入美国市场。”小米此前已经开始在美国销售网络互连设备,例如音箱、相机和电子秤等产品,但是小米的手机还没有在美国开售。要想顺利进入美国市场,小米将会面临一些的挑战,例如如何动摇苹果和三星在这个市场上的统治地位。另外小米还必须要与至少一家电信运营商达成合作。另外小米还有可能遇到和华为一样的遭遇。今年早些时候,华为本来已经于AT&T达成了合作,后者将帮助华为在美国市场销售高端Mate 10手机,然而由于政治原因这项合作被迫终止。雷军本人十分清楚进入国际市场并不是一件容易的事情。小米需要花费大量的时间成本去熟悉当地的法律和监管政策,还有当地消费者对智能手机产品的需求与期望。雷军拒绝对此事进行进一步评论。据集邦咨询的数据表示,小米2017年生产数量一举冲破9,000万支大关,年增长率达83%,全球排名紧追vivo之后。集邦...
发布时间 :  2018 - 03 - 06
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