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  • 3月31日,国务院新闻办公室举行“深入贯彻‘十四五’规划,加快建设高质量教育体系”发布会。 在发布会上,有记者提问,最近教育部印发了新版《职业教育专业目录(2021年)》(教职成〔2021〕2号,以下简称新版《目录》)。在“十四五”时期,新版《目录》如何对接“十四五”高质量发展,会有哪些具体规划?对此,教育部职业教育与成人教育司司长陈子季表示,职业教育专业建设是全面提升职业教育质量的关键。这次专业目录集中修订主要围绕高质量发展主题,紧盯产业链条、紧盯市场信号、紧盯技术前沿、紧盯民生需求。新版《目录》调整幅度大,中职层次调整了61.1%,高职专科层次调整了56.4%,职教本科层次调整了260%,新设167个专业。 陈子季指出,新版《目录》的修订,主动融入新发展格局,对接现代产业体系,用“三级”分类,设置了19个专业大类,97个专业类,1349个专业,全面覆盖了国际通行的41个工业门类以及我国最新发布的新职业。 陈子季表示,新版《目录》的修订深度对接新经济、新业态、新技术、新职业,促进职业教育专业升级和数字化改造。为服务战略性新兴产业,设置了集成电路技术、新能源材料应用技术、智能光电制造技术专业。针对区块链工程技术人员新职业,设计了区块链技术应用专业等。 他指出,下一步,将健全职业教育专业随着产业发展动态调整机制。一方面,指导省级教育部门结合区域...
    发布时间 :  2021 - 04 - 01
  • “这是美国一次千载难逢的投资”,继1.9万亿的新冠纾困法案之后,美国总统拜登3月31日又再度出手,宣布推出一项耗资高达2万亿美元的“撒钱”计划,规划了美国未来8年的具体基建和加税计划,旨在重振美国的交通基建和制造业,改善美国芯片、能源等领域的地位并保持竞争力。早前有美媒预测,拜登会把“和中国竞争”作为这份基建计划的“核心卖点”,以此吸引共和党人的支持。事实上,拜登在计划宣布当天也强调,这可以帮助美国“在全球竞争中击败中国”。但保守派和主要商业团体对该提案反应冷淡。拜登称,该项计划的主要资金将来源于加税。美国前总统特朗普则激烈指责了该项“美国历史上最为激进”的加税计划,并称“这将成为献给中国等国的一份大礼,数以千计的工厂、收入、岗位将从美国转移到这些国家”。2万亿都要花在哪?拜登当天在匹兹堡宣布的基建计划,包括8年内耗资高达2万亿美元的支出,这是拜登“重建与发展”(Build Back Better)计划中的“第一步”。他称这是一个旨在创造“世界上最强大、最有弹性、最具创新性的经济”的计划,还能带来数百万个高薪岗位。那么,此次宣布的这2万亿都要花在哪呢?具体来看,内容涵盖以下五大领域:向桥梁、道路、公共交通、港口和电动汽车开发等交通基础设施建设投入6210亿美元;白宫预计将总计修缮约2万英里的道路,重建10座重要的大型桥梁,1万座小型桥梁,以及改善水路和沿海港口。其中将1740亿美元...
    发布时间 :  2021 - 04 - 01
  • 3月24日消息,日本官方将出资420亿日元,联合日本三大半导体厂商——佳能、东京电子以及Screen Semiconductor Solutions共同开发2nm先进制程工艺。知情人士透露称,日本半导体厂商还将与台积电等国际领先厂商建立合作关系,寻求收复在全球半导体竞赛中的失地。开启先进制程研发道路近期,半导体先进制程工艺研发赛道火热,台积电和三星等少数领先半导体厂商早已在3nm~2nm工艺节点开始争霸。在先进制程研发方面“沉睡”多时的欧盟最近也打起了2nm节点的主意,试图通过一系列定制计划来降低自身对其他国家半导体制造工艺的依赖性。国际主要厂商在半导体光刻胶产品的产业化进度资料来源:各公司官网公开信息在各国厂商纷纷布局先进制程工艺的大背景下,在先进晶圆制造技术上不占优势的日本,这次似乎有了觉醒之意。最新消息显示,日本三大半导体供应商已经制定了联合开发先进芯片制造技术的计划。据了解,这项计划将联合制造光刻机的佳能、半导体生产厂商东京电子以及半导体设备商Screen Semiconductor Solutions,共同研发2nm先进制程工艺。日本政府也将从国家层面出发,为这三家日本半导体厂商提供相关支持。根据公开信息,这三家企业将与日本国家先进工业科学技术研究所(National Institute of Advanced Industrial Science and Technol...
    发布时间 :  2021 - 03 - 26
3月24日消息,日本官方将出资420亿日元,联合日本三大半导体厂商——佳能、东京电子以及Screen Semiconductor Solutions共同开发2nm先进制程工艺。知情人士透露称,日本半导体厂商还将与台积电等国际领先厂商建立合作关系,寻求收复在全球半导体竞赛中的失地。开启先进制程研发道路近期,半导体先进制程工艺研发赛道火热,台积电和三星等少数领先半导体厂商早已在3nm~2nm工艺节点开始争霸。在先进制程研发方面“沉睡”多时的欧盟最近也打起了2nm节点的主意,试图通过一系列定制计划来降低自身对其他国家半导体制造工艺的依赖性。国际主要厂商在半导体光刻胶产品的产业化进度资料来源:各公司官网公开信息在各国厂商纷纷布局先进制程工艺的大背景下,在先进晶圆制造技术上不占优势的日本,这次似乎有了觉醒之意。最新消息显示,日本三大半导体供应商已经制定了联合开发先进芯片制造技术的计划。据了解,这项计划将联合制造光刻机的佳能、半导体生产厂商东京电子以及半导体设备商Screen Semiconductor Solutions,共同研发2nm先进制程工艺。日本政府也将从国家层面出发,为这三家日本半导体厂商提供相关支持。根据公开信息,这三家企业将与日本国家先进工业科学技术研究所(National Institute of Advanced Industrial Science and Technol...
发布时间 :  2021 - 03 - 26
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中概股退市危机愈演愈烈。美东当地时间3月24日(北京时间3月25日),美国证券交易委员会(SEC)发布公告称,《外国公司问责法案》(Holding Foreign Companies Accountable Act)已通过最终修正案,并征求公众意见。根据最新法案,外国发行人连续三年不能满足美国公众公司会计监督委员会(PCAOB)对会计师事务所检查要求的,其证券将被摘牌。新规将在30天后生效。虽然HFCAA名义上针对所有在美外国企业,但业界普遍认为,该法案是美国针对瑞幸咖啡财务造假事件的持续发力,监管对象为在美上市的中国企业。HFCAA最早于2019年3月被提出,旨在要求外国证券发行人不受外国政府拥有或控制,并要求在美国上市的外国企业遵守PCAOB的审计标准,否则面临潜在的退市风险。2020年12月2日,美国众议院通过了《外国公司问责法案》,后于12月18日经美国时任总统特朗普签署后生效。最新法案规定,如果在美国上市的公司聘请了位于外国管辖的会计师事务所,由于外国主管部门的立场,PCAOB将无法对该会计师事务所进行彻底检查或调查。因此,被列为“委员会认定的发行人”(Commission-Identified Issuers)要提交材料,证明该公司并非外国政府国有或控股,同时还需要提交审计底稿。数据显示,目前在不接受美国PCAOB检查审计底稿的外国上市企业中,中国(包括中国香港)企业占...
发布时间 :  2021 - 03 - 26
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最近,中国海关公布了2021年2月份的各类货物的进出口数据,我会分几次将半导体相关的数据进行整理和发布。这次先发布硅材料相关的进口数据:由下表可见,中国大陆最近的硅晶圆及硅棒、多晶硅进口量继续持续高速增长...由于二月是春节且日期较短,所以总体进口量相较前几个月有所下降,但相对于去年同期仍然是处于增长态势下图是单类产品来源地分布趋势:
发布时间 :  2021 - 03 - 26
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标普道琼斯指数公司周一表示,中国智能手机制造商小米有资格再次被纳入指数,此前一名联邦法官暂停了美国对该公司的投资禁令。1月中旬,美国前任总统特朗普政府领导下的国防部将小米和其他八家公司加入了一份名单,要求美国人在最后期限前出售他们在这些公司的权益。标普道琼斯指数公司本月较早时,将从指数中剔除名单上的某些股票,包括小米。但美国地区法官鲁道尔夫-孔德拉斯(Rudolph Contreras)暂停了对小米的投资禁令,称美国政府将其列入禁令的程序存在“严重缺陷”。标普道琼斯指数公司周一表示,移除了小米公司的指数将会在下次重新调整组合时审查小米证券的纳入资格。这家指数提供商补充称,在5月8日之前不会考虑将地图技术公司箩筐技术重新纳入指数。
发布时间 :  2021 - 03 - 23
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据报道,三星计划斥资1,160亿美元用于其下一代芯片业务,其中包括为外部客户制造芯片代工业务,以期在2022年之前缩小与行业领导者台积电的差距。三星的策略是双重的:1.2022年下半年将量产3nm芯片,以与台积电匹配。2.如图1所示,采用更先进的全能栅极(GAA)技术代替TSMC的FinFET结构。图1资料来源:三星GAA在晶体管性能控制方面具有显着优势,因为它可以更精确地控制流经沟道的电流,缩小芯片面积并降低功耗。与FinFETs不同,在FinFETs中,更高的电流需要多个并排的鳍片,而GAA晶体管的载流能力通过垂直堆叠数个纳米片,栅极材料包裹在沟道周围而增加。三星声称,与7nm技术相比,其GAA工艺将能够使芯片面积减少45%,功耗降低50%,从而使整体性能提高35%。在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,三星工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造细节。三星表示,传统的GAAFET工艺使用三层纳米线构造晶体管,并且栅极相对较薄。此外,三星MBCFET芯片工艺使用纳米片构造晶体管。目前,三星已经为MBCFET注册了商标。三星表示,这两种方法都可以达到3nm。在本文中,我从技术,产能和资本支出重点探讨了三星公司目前和未来的能力(三星存储部门除外),以及三星是否确实能够缩小7纳米以下节点的差距。总产能三星是否有能力在台积电主导的市场中占据重要份额?这是一个很...
发布时间 :  2021 - 03 - 22
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