数据显示，2019年我国集成电路（IC）进口金额达3055.5亿美元，约占全部进口总额的2.1%，集成电路已连续十年成为我国第一大宗进口商品，其中大部分为高端芯片。而高端光刻机是半导体产业链中技术含量最高、最核心、最关键的设备，是生产高端芯片的“制器之器”，被誉为“半导体工业皇冠上的明珠”。能否在这一领域实现重大突破，关系到我国半导体行业能否从根本上扭转“卡脖子”被动地位，从而将行业未来发展的主动权掌握在自己手中。本文基于专利文献，全面研究了生产高端芯片的极紫外（EUV）光刻技术的整体专利态势，以期对行业技术发展有所参考。全球申请态势 EUV光刻技术于上世纪80年代由日本的H.Kinoshita首先提出并完成原理验证，它采用的EUV光波长为13.5nm，经过业界30多年持续的投入和研究，终于在2015年由荷兰的阿斯麦尔（下称ASML）公司量产了世界上第一台成熟的EUV光刻机（NXE:3400B）。由于传统的透射型光学器件对于EUV光存在强烈的吸收效应，为克服该吸收效应，包括照明系统和物镜系统在内的EUV光学系统需采用反射式结构，且需要光学薄膜、光学材料、光刻胶等都发生相应的变革，相当于对整个投影光刻技术的一次重塑。EUV光刻技术在具有极高技术难度的同时，其优势也是显而易见的：其工作波长仅为ArF准分子激光器的1/14，根据瑞丽公式，这将大大增加光刻分辨率，一方面可以允许工艺因子K...
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2020
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