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  • 近日,据市场研究机构CounterpointResearch最新公布的《晶圆代工季度追踪》报告指出,主要得益于强劲的AI需求,2024年第二季全球晶圆代工业市场营收环比增长约9%,同比增长约23%。从厂商排名来看,台积电、三星、中芯国际位列前三。报告指出,CoWoS供应仍然吃紧,未来产能扩张可能存在上行空间,重点是CoWoS-L。尽管非AI半导体(例如用于汽车和工业应用的半导体)的需求复苏较慢,但某些应用(例如物联网和消费电子产品)有一些紧急订单。值得注意的是,中国的晶圆代工和半导体市场复苏速度快于全球同行。其中,中芯国际和华虹等中国晶圆代工厂商公布了强劲的季度业绩和积极的指引,因为中国的无晶圆厂客户更早进入库存调整阶段。在各大代工厂方面,台积电以62%的市场份额稳居第一,同比增长4个百分点。报告指出,受人工智能加速器需求持续强劲增长的推动,台积电2024年第二季度的季度营收略有超出预期。因此,台积电进一步将其年度营收预期从之前的20%中低段上调至20%中段。此外,台积电预计,到2025年底或2026年初,人工智能加速器的供需平衡将保持紧张。该公司还计划在2025年将其CoWoS产能至少再翻一番,以满足客户对人工智能的强劲需求。此外,三星第二季的市场份额为13%,同比增长1个百分点。报告称,三星代工厂的收入环比增长,主要由于智能手机的库存预建和补货,在2024年第二季度以13%的市...
    发布时间 :  2024 - 08 - 23
  • 根据中国海关总署本周发布的最新贸易数据,今年1-7月中国企业进口了价值近260亿美元(约合1855亿元人民币)的芯片制造设备,这一数字超过了2021年同期创下的最高纪录(238亿美元)。过去一年,中国从Tokyo Electron(TEL)、ASML和应用材料等公司的采购量大幅增长。这种消费热潮推动荷兰对华出口创下新高,7月份出口额超过20亿美元,这是有史以来第二次超过20亿美元。荷兰公司ASML第二季度对华销售额飙升21%,达到其总收入的近一半,销售额由不受限制的旧系统组成。中国进口继续保持高位。即使在美国及其盟友禁止中国企业采购最先进的设备后,中国企业仍在迅速扩大采购规模。 国际半导体产业协会(SEMI)6月份估计,继今年中国芯片制造商的晶圆产量增幅达到15%之后,预计到2025年,其晶圆产量将增长14%,达到每月1010万片,占全球芯片产量的近三分之一。美国一直在收紧限制中国在半导体和人工智能等关键技术领域发展的规定。这些措施包括多次实施出口管制,限制先进芯片和制造这些部件的设备销售。来源:集微网
    发布时间 :  2024 - 08 - 23
  • 据英国金融时报报道,软银曾与英特尔进行谈判,生产人工智能(AI)芯片以与英伟达竞争。但由于英特尔难以满足软银的要求,该计划最终失败。软银CEO孙正义计划投资数十亿美元,令软银进入人工智能热潮的中心。利用英特尔的美国代工厂制造AI芯片可能会使软银获得拜登政府《芯片法案》提供的资金,这一资金是美国政府用以支持美国半导体的生产。另一方面,英特尔首席执行官Pat Gelsinger正试图让英特尔重回全球芯片制造的领先地位。3月,英特尔从美国政府处获得近200亿美元的资金和贷款,随后,英特尔大力投资,试图在芯片制造领域赶上竞争对手台积电和三星,并为该公司的代工业务吸引新的大客户。软银与英特尔的谈判未能取得成果。目前,软银已与台积电进行了谈判,但尚未达成协议,因为台积电难以满足包括英伟达在内的现有客户的需求。软银将谈判破裂归咎于英特尔,称这家芯片制造商无法满足其对产量和速度的要求。他们还称,鉴于拥有生产尖端人工智能处理器所需能力的芯片制造商数量有限,谈判可能会重新开始。据悉,孙正义正向谷歌和Meta等全球最大的几家科技集团推销,试图为自己的这项新事业争取支持和资金。孙正义所主张的重点是,软银可以帮助对抗英伟达的市场霸主地位。英伟达曾一度成为全球最有价值的公司,其AI芯片是市场上最受欢迎的产品,被广泛应用的软件平台Cuda支撑了英伟达的主导地位。来源:集微网
    发布时间 :  2024 - 08 - 21
4月29日消息,据媒体报道,中国台湾地区计划加强对先进制程技术出口以及对外半导体投资的管控,相关新规预计将对台积电等企业产生重大影响。此次修订的规则基于修订后的《产业创新法》第22条,预计将于2025年底生效,不过经济部门表示,该法的实施日期将在各子法规修订后(六个月内)公布,这意味着最早可能在2025年底开始实施。新的法律措施将强制执行“N-1”技术限制,实质上禁止台积电出口其最新生产节点,并对违规行为处以罚款。中国台湾地区行政部门赵荣泰确认的“N-1”政策将适用于台积电在美国的计划生产,该政策限制了最先进工艺技术的出口,仅允许将比其早一代的技术部署到国外。此前,中国台湾地区法规并未明确要求对半导体制造工艺进行此类管控。此次修订还引入了此前未曾出现的处罚措施:未经事先批准在海外投资的公司可能面临5万至100万新台币(约合人民币22.54万元)的罚款;如果投资已获批准,但公司随后未能纠正已发现的违规行为(例如危害国家安全或损害经济发展),可处以50万至1000万新台币(约合人民币225.4万元)的重复罚款。 不过,鉴于台积电计划在其美国工厂投资1650亿美元,30万美元的罚款几乎不会影响公司的盈利。此外,经中国台湾地区立法机构三读通过的修订法赋予中国台湾行政部门拒绝或取消海外投资的权力。如果这些投资被发现危害国家安全、损害中国台湾地区经济发展、违反条约义务或导致未解决的重...
发布时间 :  2025 - 04 - 30
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受先进人工智能(AI)芯片需求强劲推动,芯片制造设备供应商泛林集团(Lam Research)公布的第三财季营收超出华尔街预期。泛林集团开发半导体制造必不可少的设备,产品主要用于各种晶圆加工和半导体器件的布线。根据伦敦证券交易所汇编的数据,泛林集团截至3月30日的季度营收为47.2亿美元,超过分析师预期的46.5亿美元。该公司第三财季系统收入30.4亿美元,包括沉积、刻蚀、清洗和其他晶圆制造市场的新型尖端设备的销售额。Summit Insights Group高级分析师Kinngai Chan表示,第三财季的“优异表现得益于对中国台湾地区的出货量增加,而对中国大陆的出货量依然强劲。”该财季,泛林集团31%的收入来自中国大陆,24%的收入来自中国台湾。尽管美国出口管制和关税问题持续存在,给半导体行业带来挑战,但该公司仍然取得了强劲的业绩。公司预计第四财季营收为50亿美元,上下浮动3亿美元,而分析师的预期为45.9亿美元。今年2月,泛林集团首席财务官Douglas Bettinger表示,预计到2028年营收将在250亿~280亿美元之间,较2024年的162亿美元大幅增长。  来源:芯探007
发布时间 :  2025 - 04 - 25
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台积电在其2025年北美技术研讨会上透露,计划于2028年开始使用其A14制程技术生产芯片,该技术将超越其现有的最先进的3nm制程和今年晚些时候即将推出的2nm技术。台积电还计划在2026年底推出A16芯片制程。在会上,台积电还表示,公司已按计划在2024年第四季度开始使用其性能增强的N3P(第三代3nm级)制程技术生产芯片。N3P是继N3E之后,针对需要增强性能的同时保留3nm级IP的客户和数据中心应用。然而,3nm级制程技术在高性能应用领域的时代并未止步于N3P。该节点之后台积电将推出N3X,承诺与N3P相比,在相同功率下将最大性能提高5%,或在相同频率下将功耗降低7%。台积电一直保持着稳定的升级步伐,成功吸引了苹果和英伟达的芯片制造业务。该公司今年计划投入约400亿美元的资本支出,其高层管理人员表示,其长期计划仍旨在捕捉强劲的AI驱动需求。台积电高级副总裁张晓强表示,台积电仍然相信半导体整体需求将继续上升,到本十年末,行业总收入将“轻松”超过1万亿美元。尽管这是芯片行业普遍接受的销售目标,但近期投资者对AI泡沫的担忧随着美国宣布广泛的关税而加剧。  来源:集微网
发布时间 :  2025 - 04 - 25
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4月22日消息,据Tom's hardware报道,针对此前台积电因在不知情的情况下为被美国列入黑名单的中企生产AI计算小芯片,或将面临 10 亿美元的罚款一事,台积电在其最新的年度报告中承认,在其代工的芯片离开晶圆厂后,难以确保客户不会将芯片转移,以及了解芯片最终用途。换句话说,台积电不能保证类似的事件不会重演。台积电表示,2024年10月,台积电通知美国和中国台湾有关当局,其所生产的一种客户芯片可能已被转移到受限制实体或用于受限制实体的产品,此后,台积电即持续配合有关当局要求提供更多相关资讯及文件。即使台积电尽最大努力遵守所有相关的出口管制和制裁法规,仍不能保证其商务活动不会被发现有未遵守出口管制法规之情形。台积电解释称,其在半导体供应链中的角色先天限制了其对包含其所制造半导体芯片的最终产品之下游使用或使用者的能见度和信息,从而阻碍了台积电充分确保其所制造的半导体芯片不会被转移(包括经由台积电的业务合作伙伴与具有规避意图的第三方)到非预期的最终用途或最终使用者的能力。此外,如果台积电或台积电的业务合作伙伴未能获得适当的进口、出口或再出口许可,或被发现违反了可适用的出口管制或制裁相关法律,台积电也可能会受到声誉损害以及其他负面后果的不利影响,包括政府调查和相关法律程序导致的处罚。据了解,当台积电与客户签订生产芯片的合同时,会向其提供一个 GDS 文件,其中包含制造该芯片所...
发布时间 :  2025 - 04 - 23
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英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。  集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中,由于GaN器件的有效体二极管电压(VSD)较大,基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长,那么这种情况就会更加严重,导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联,或者通过控制器缩短死区时间。然而,无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管,能显著缓解此类问题,适用于服务器和电信中间总线转换器IBC)、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源(PSU) 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示:随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛,英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术,才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐,进一步推动宽禁带半导体材料的发展。...
发布时间 :  2025 - 04 - 23
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