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  • 近日,据市场研究机构CounterpointResearch最新公布的《晶圆代工季度追踪》报告指出,主要得益于强劲的AI需求,2024年第二季全球晶圆代工业市场营收环比增长约9%,同比增长约23%。从厂商排名来看,台积电、三星、中芯国际位列前三。报告指出,CoWoS供应仍然吃紧,未来产能扩张可能存在上行空间,重点是CoWoS-L。尽管非AI半导体(例如用于汽车和工业应用的半导体)的需求复苏较慢,但某些应用(例如物联网和消费电子产品)有一些紧急订单。值得注意的是,中国的晶圆代工和半导体市场复苏速度快于全球同行。其中,中芯国际和华虹等中国晶圆代工厂商公布了强劲的季度业绩和积极的指引,因为中国的无晶圆厂客户更早进入库存调整阶段。在各大代工厂方面,台积电以62%的市场份额稳居第一,同比增长4个百分点。报告指出,受人工智能加速器需求持续强劲增长的推动,台积电2024年第二季度的季度营收略有超出预期。因此,台积电进一步将其年度营收预期从之前的20%中低段上调至20%中段。此外,台积电预计,到2025年底或2026年初,人工智能加速器的供需平衡将保持紧张。该公司还计划在2025年将其CoWoS产能至少再翻一番,以满足客户对人工智能的强劲需求。此外,三星第二季的市场份额为13%,同比增长1个百分点。报告称,三星代工厂的收入环比增长,主要由于智能手机的库存预建和补货,在2024年第二季度以13%的市...
    发布时间 :  2024 - 08 - 23
  • 根据中国海关总署本周发布的最新贸易数据,今年1-7月中国企业进口了价值近260亿美元(约合1855亿元人民币)的芯片制造设备,这一数字超过了2021年同期创下的最高纪录(238亿美元)。过去一年,中国从Tokyo Electron(TEL)、ASML和应用材料等公司的采购量大幅增长。这种消费热潮推动荷兰对华出口创下新高,7月份出口额超过20亿美元,这是有史以来第二次超过20亿美元。荷兰公司ASML第二季度对华销售额飙升21%,达到其总收入的近一半,销售额由不受限制的旧系统组成。中国进口继续保持高位。即使在美国及其盟友禁止中国企业采购最先进的设备后,中国企业仍在迅速扩大采购规模。 国际半导体产业协会(SEMI)6月份估计,继今年中国芯片制造商的晶圆产量增幅达到15%之后,预计到2025年,其晶圆产量将增长14%,达到每月1010万片,占全球芯片产量的近三分之一。美国一直在收紧限制中国在半导体和人工智能等关键技术领域发展的规定。这些措施包括多次实施出口管制,限制先进芯片和制造这些部件的设备销售。来源:集微网
    发布时间 :  2024 - 08 - 23
  • 据英国金融时报报道,软银曾与英特尔进行谈判,生产人工智能(AI)芯片以与英伟达竞争。但由于英特尔难以满足软银的要求,该计划最终失败。软银CEO孙正义计划投资数十亿美元,令软银进入人工智能热潮的中心。利用英特尔的美国代工厂制造AI芯片可能会使软银获得拜登政府《芯片法案》提供的资金,这一资金是美国政府用以支持美国半导体的生产。另一方面,英特尔首席执行官Pat Gelsinger正试图让英特尔重回全球芯片制造的领先地位。3月,英特尔从美国政府处获得近200亿美元的资金和贷款,随后,英特尔大力投资,试图在芯片制造领域赶上竞争对手台积电和三星,并为该公司的代工业务吸引新的大客户。软银与英特尔的谈判未能取得成果。目前,软银已与台积电进行了谈判,但尚未达成协议,因为台积电难以满足包括英伟达在内的现有客户的需求。软银将谈判破裂归咎于英特尔,称这家芯片制造商无法满足其对产量和速度的要求。他们还称,鉴于拥有生产尖端人工智能处理器所需能力的芯片制造商数量有限,谈判可能会重新开始。据悉,孙正义正向谷歌和Meta等全球最大的几家科技集团推销,试图为自己的这项新事业争取支持和资金。孙正义所主张的重点是,软银可以帮助对抗英伟达的市场霸主地位。英伟达曾一度成为全球最有价值的公司,其AI芯片是市场上最受欢迎的产品,被广泛应用的软件平台Cuda支撑了英伟达的主导地位。来源:集微网
    发布时间 :  2024 - 08 - 21
6月11日消息,据Tom's hardware援引台媒Digitimes的消息报道称,由于近期地缘政治形势和需求变化促使台积电重新调整其全球产能投资策略。具体来说,为了应对美国特朗普政府日益增长的本土制造需求压力,台积电已将其即将在美国新建的2nm及A16制程的晶圆厂建设工期提前了多达6个月。相反,台积电在日本的一家晶圆厂目前表现不佳,第二座晶圆厂也面临延期。此外,德国汽车行业的萎缩,可能也会减缓台积电在德国晶圆厂的进一步投资。多年来,台积电一直是全球晶圆制程产业当中规模最大的产能建设者和投资者,每年都在持续建设多个新的晶圆制造工厂。2025年,台积电列出了总共9个在建的新工厂(尽管其中一些工厂于2024年开工,而另一些工厂实际上是开始运营,而不是开始建设)。其中,位于美国亚利桑那州凤凰城附近的Fab 21工厂被列为两个独立的部分,将生产不同的制程工艺。4nm晶圆厂已经投产,3nm晶圆厂目前处于设备配备阶段,2nm和A16制程生产设施已于今年4月开工建设。目前,该工厂的建设预计将加速,台积电表示已将竣工日期提前了6个月。作为该计划的一部分,台积电已经将在美国制造领域的投资追加了1000亿美元,使其在美国的总投资达到1650亿美元。这些投资将在未来几年内投入使用,到2030年,美国将能够生产更先进的工艺节点。随着下一代工艺节点的晶圆生产价格将大幅上涨,在美国的本地化生产可能将...
发布时间 :  2025 - 06 - 13
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近日,无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆,同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。作为一种高性能光电材料,薄膜铌酸锂具备超快电光效应、宽带宽、低功耗等优势,在5G通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。然而,由于薄膜铌酸锂材料脆性大,大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直被行业视为挑战。为了攻克薄膜铌酸锂晶圆的制备工艺难题,上海交大无锡光子芯片研究院为无锡光量子芯片中试平台引进了110台国际顶级CMOS工艺设备,覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。依托尖端设备以及领先的纳米级加工能力,研究院在6寸薄膜铌酸锂晶圆上实现了110 nm高精度波导刻蚀,在兼顾高集成度的同时,调制带宽突破110 GHz、插入损耗低至3.5 dB以下,信号强度和抗干扰能力等性能指标达国际一流水平。“一片直径6寸的晶圆可以切割出350颗芯片,这些芯片如同‘心脏’,驱动着高性能薄膜铌酸锂调制器高效运行。”中试平台负责人介绍,达产后,无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。未来平台将与更多产业链上下游企业合作,加速科技成果转化落地,推动我国光子芯片核心器件从技术研发向产业化应用的实质性跨越。  来源:无锡滨湖发布
发布时间 :  2025 - 06 - 10
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1—4月,我国电子信息制造业生产稳步增长,出口小幅波动,效益逐步回升,投资平稳增长,行业整体发展态势良好。一、生产稳步增长1—4月,规模以上电子信息制造业增加值同比增长11.3%,增速分别比同期工业、高技术制造业高4.9个和1.5个百分点。4月份,规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.8%。1—4月,主要产品中,微型计算机设备产量1.05亿台,同比增长4.7%;手机产量4.54亿台,同比下降6.8%;集成电路产量1509亿块,同比增长5.4%。二、出口小幅波动1—4月,规模以上电子信息制造业累计实现出口交货值同比增长4.5%,较一季度回落2.6个百分点。4月份,规模以上电子信息制造业实现出口交货值同比下降2.7%。据海关统计,1—4月,我国出口笔记本电脑4384万台,同比下降0.4%;出口手机2.24亿台,同比下降7.1%;出口集成电路1063亿个,同比增长20%。三、效益逐步回升1—4月,规模以上电子信息制造业实现营业收入5.12万亿元,同比增长10.1%;营业成本4.5万亿元,同比增长10.3%;实现利润总额1597亿元,同比增长11.6%;营业收入利润率为3.1%,较一季度提高0.4个百分点。4月份,规模以上电子信息制造业营业收入1.34万亿元,同比增长8.4%。四、投资平稳增长1—4月,电子信息制造业固定资产投资同比增长9%,较一季度回落1.5个百分点,比同期工业投资增...
发布时间 :  2025 - 06 - 05
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近日,中微公司在接受机构调研时透露,公司多款先进逻辑设备已通过客户验证,并在国内客户量产的先进逻辑产线刻蚀环节取得一定市场份额。中微公司2024年研发投入达24.52亿元,同比增长94.31%,占收入比例超27%。公司目前正推进六大类超过20种新设备开发,通过模块化设计和人工智能应用,大幅缩短研发进程至2年或更短,约60%-70%的部件可实现复用,显著提高了研发转换率。在业务进展方面,中微公司的高深宽比设备,包括等离子体刻蚀和金属薄膜沉积设备已批量出货给国内先进存储客户产线。公司金属钨系列薄膜产品已在客户端取得批量订单,并随着客户扩产持续放量。同时,等离子体刻蚀、薄膜以及EPI等新产品均在客户的先进逻辑产线全面验证,多款设备已通过验证。中微公司表示,公司与客户保持紧密关系,从技术线路选择、产品研发到验证流程等环节与客户紧密绑定,推动设备产品更快导入及验证。随着各类新产品的推出,公司在国内先进逻辑产线的份额有望继续提升,充分受益于国内先进逻辑产线的扩产。在人才建设方面,中微公司人员扩张保持稳定增速,研发人员占比约48%,人才梯队持续完善。供应链方面,公司与全球880家供应商合作,关键零部件国产化进展良好,确保供应链安全可控。此外,中微公司还在先进封装领域布局刻蚀、CVD、PVD及晶圆量检测设备,已发布相关新品。公司MOCVD业务占比已降至低个位数,但新开发设备覆盖Micro-LED等...
发布时间 :  2025 - 06 - 05
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在先进制程的赛道上,3nm制程的热度还未完全消退,2nm制程的角逐已正式开启,在苹果、高通、联发科这三大巨头里,联发科的动作相对更快。据媒体报道,联发科首席执行官蔡力行在COMPUTEX上发表主题演讲,蔡力行表示,过去10年,全球有超过200亿台设备搭载联发科芯片,地球上平均每人有2.5台设备采用联发科芯片。他还宣布,联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段,相较3nm制程,2nm性能将提升15%,功耗下降25%。根据爆料的消息,联发科今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程,明年下半年的天玑9600则会升级为全新的台积电2nm工艺,这将是联发科第一款2nm芯片。据悉,台积电2nm制程采用全新的GAAFET(全环绕栅极场效应晶体管)架构,相较于传统的FinFET架构,GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构,这一变革大幅提升了晶体管密度,有效降低了漏电现象,并显著降低了功耗。伴随着2nm时代的到来,其成本也会跟着水涨船高,消息称台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%,这将导致终端旗舰掀起新一轮涨价潮。  来源:电子创新网
发布时间 :  2025 - 05 - 21
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