资讯中心 - 集成电路产业创新平台泉州分平台

您现在的位置：首页 / 资讯中心 /

推荐产品 / Products More

关于2022年全球及中国半导体发展情况的判断与思考

每年年末都习惯性对当年度全球半导体产业情况作出回顾，同时对下一年的产业走势作出预测。2021年全球半导体产业的发展延续了2020年下半年走势，在“缺货”和“疫情”的大背景下走出了跌宕起伏的行情。而新冠疫情的反复无常，后摩尔时代技术和模式创新空前活跃、加之技术民族主义抬头和地缘政治愈加复杂，也让作为民生经济基石的半导体产业在愈加受重视的同时，也愈加难以预测。不过好在2021年是一个罕见高成长的年份，WSTS预测至少增长率在25%以上，产值规模超过5000亿美金，国内产值也接近万亿收入规模。因此基于产业发展惯性，2022年半导体行情应该不会差，各机构预测增速在8%-11%之间。但我们仍然对明年的发展情况充满疑问和猜测，在此用问答的方式，从产能供需、市场、投资机会、政策、区域格局、供应链等多个维度对全球及国内半导体产业作出梳理和预判，也欢迎各位一起讨论。（一）2022年全球半导体产能紧张的态势会如何演进，是否会出现产能过剩？2021年Q3开始，全球半导体缺货的态势从全线紧张开始逐步转入结构性缓解的阶段，小容量NOR存储器、CIS、DDI等消费电子类的一些通用型芯片产品供给变多，库存水位提升，部分产品价格开启下跌通道，代理商也由囤转抛。从产能端来看，先进工艺和部分依赖8寸特殊工艺的产能仍然排队严重，尤其是对于中小企业而言预定满产和涨价的情况仍然存在。但从目前来看，2022年全球半导体产能紧...

发布时间 : 2021 - 12 - 07

查看更多>>
台积电扩大与三星电子芯片代工差距市场占有率达53.1%

12月6日消息:虽然全球半导体代工市场在2021年第三季度较上一季度有所增长，但三星电子的市场份额却有所缩水。另一方面，台积电的市场份额有所增加，巩固了其全球第一代工企业的地位。市场研究公司TrendForce最近表示，占全球代工市场97%的前10家公司的销售额在2021年第三季度环比增长11.8%至272.7亿美元。三星电子的代工销售额也较第二季度增长11.0%至48.1亿美元，继续位居第二。然而，这家韩国半导体巨头的市场份额从2020年的17.3%下降到17.1%。另一方面，台积电扩大市场份额，拉大与三星电子的差距。台积电第三季度销售额环比增长11.9%至148.84亿美元，占比53.1%。这一数字比第二季度的52.9% 增加了0.2个百分点。半导体业内人士认为，近期汽车用半导体短缺导致市场份额发生变化。“三星电子专注于智能手机半导体等高科技产品，”韩国半导体行业协会执行董事Ahn Ki-hyun表示。“汽车半导体需求的增长相对提升了台积电的份额。”

发布时间 : 2021 - 12 - 07

查看更多>>
SIA：今年全球半导体销售额将达5530亿美元创新高

据半导体行业协会（SIA）的新数据，10月份全球半导体销售额同比增长24%至488亿美元，环比增长1.1%。SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示：“10 月份全球半导体需求仍然很高，所有主要区域市场的销售额都同比大幅增长。预计芯片年销售额和出货量将在2021年创下历史新高，2022年有望实现温和的年度增长。”数据显示，从地区来看，所有市场的销售额同比增长：欧洲增幅27.3%，美洲增幅29.2%，亚太地区/所有其他市场增幅29.2%。SIA预计，今年全球半导体的销售额将达到5530亿美元，创下新高，同比增长25.6%。对于2022年，SIA预计全球半导体的销售额仍将保持增长，但增速会放缓，预计同比增长8.8%，销售额达到6015亿美元，将再创新高。

发布时间 : 2021 - 12 - 07

查看更多>>

在先进制程的赛道上，3nm制程的热度还未完全消退，2nm制程的角逐已正式开启，在苹果、高通、联发科这三大巨头里，联发科的动作相对更快。据媒体报道，联发科首席执行官蔡力行在COMPUTEX上发表主题演讲，蔡力行表示，过去10年，全球有超过200亿台设备搭载联发科芯片，地球上平均每人有2.5台设备采用联发科芯片。他还宣布，联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段，相较3nm制程，2nm性能将提升15%，功耗下降25%。根据爆料的消息，联发科今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程，明年下半年的天玑9600则会升级为全新的台积电2nm工艺，这将是联发科第一款2nm芯片。据悉，台积电2nm制程采用全新的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）架构，相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。伴随着2nm时代的到来，其成本也会跟着水涨船高，消息称台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%，这将导致终端旗舰掀起新一轮涨价潮。来源：电子创新网

发布时间 : 2025 - 05 - 21

浏览次数：29

台积电将提高先进制程晶圆价格：2nm工艺晶圆涨价10%

全球领先的晶圆代工厂台积电近日宣布，将对其先进制程晶圆价格进行调整。据知情人士透露，这一价格调整主要受到海外建厂成本上升及资本支出计划的影响。具体来看，台积电的2nm工艺晶圆价格将较此前上涨10%，若以去年300mm晶圆预估的3万美元计算，新定价将达到3.3万美元左右。此外，台积电还将对其4纳米制造节点的价格进行调整，涨幅预计在10%至30%之间。此次价格调整是台积电在全球半导体供应链中的重要举措，反映了公司在应对全球芯片需求增长和成本上升方面的策略调整。台积电此举旨在保持其在半导体制造领域的竞争力，同时确保公司能够持续投资于研发和扩大生产能力。台积电此次涨价的原因主要有两个方面。首先，公司在美国等海外地区建设晶圆厂的成本上升，这直接导致了生产成本的增加。其次，台积电需要回收其今年高达380亿至420亿美元的资本支出计划，这也是涨价的一个重要考量。台积电的价格调整可能会对整个半导体行业产生连锁反应。一方面，这可能会增加下游客户的成本，尤其是那些依赖台积电先进制程的客户。另一方面，价格上涨可能会影响台积电的市场份额，尤其是在竞争激烈的晶圆代工市场。然而，考虑到台积电在技术上的领先地位，其价格调整可能不会对其市场地位造成太大影响。面对成本上升和市场需求的双重压力，台积电正在积极采取措施以维持其业务的稳定增长。公司将继续加大研发投入，以保持技术领先，并扩大其在全球的生产网络，以满足不断增...

发布时间 : 2025 - 05 - 21

浏览次数：24

台积电：今年将建9座工厂，3nm产能将增加60%

台积电副总经理张宗生15日在技术论坛上表示，随着全球AI应用与高效能运算（HPC）需求快速扩张，台积电持续加快制程升级与全球建厂脚步，今年预计新增9座厂区，包括8座晶圆厂与1座先进封装厂，3nm今年产能将大幅提升，成长有望超过6成。台积电3nm量产已经迈入第三年，张宗生指出，今年3nm产能预计年增加60%，2025年下半年将开始量产2nm。CoWoS持续扩充，海外美国厂与日本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到，AI驱动晶圆需求持续放大，台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与海外扩建9个厂，包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去平均每年盖5个厂，中国台湾方面台中Fab 25厂预计2028年量产2nm与更先进技术，高雄预计建五座晶圆厂包含A16与更先进制程技术。封装领域方面，张宗生表示，台积电3D Fabric平台整合SYC与COAS技术，在复杂性大幅提升的同时仍维持高良率表现。自2022年至2026年，SYC与COAS产能分别成长逾100%与80%。位于台中、嘉义、竹南与龙潭的新封装厂将支援大量AI与HPC应用需求，并规划设立海外封装基地。来源：艾邦半导体网

发布时间 : 2025 - 05 - 16

浏览次数：36

AI引爆市场增长，2024年全球芯片市场规模达6830亿美元

5月13日消息，市场研究机构Omdia发布的最新报告显示，英伟达在2024年全球芯片公司营收排名中跃居首位，这一突破性表现标志着AI驱动的半导体产业迎来结构性变革。与此同时，英飞凌和意法半导体因传统市场需求疲软跌出前十名，凸显行业分化加剧的趋势。 AI与HBM需求引爆市场增长Omdia数据显示，2024年全球芯片市场规模达到6830亿美元，同比增长25%，创下历史新高。这一增长主要得益于AI相关芯片的强劲需求，尤其是高带宽内存（HBM）的爆发式增长。AI服务器对算力的极致追求推动HBM成为市场“香饽饽”，SK海力士、美光等厂商的HBM产能在2024年已全部售罄，三星更计划将HBM供应量提升至去年的3倍以上。TrendForce数据显示，2024年HBM在DRAM总产值中的占比已超过20%，预计2025年将突破30%，其单价较传统DRAM高出5倍，成为拉动存储市场增长的核心引擎。行业格局大洗牌：AI与内存厂商崛起在2024年半导体营收排名前二十的芯片供应商中，与AI和内存相关的公司表现亮眼。英伟达凭借AI GPU的绝对优势，全年营收同比激增125%，以超过1243亿美元的IC设计收入占据全球前十IC设计公司总营收的50%，其数据中心业务收入占比持续提升，成为首家登顶全球芯片营收榜首的无晶圆厂企业。三星、SK海力士、美光则受益于HBM和DRAM价格回升，分别以11.8%、7....

发布时间 : 2025 - 05 - 15

浏览次数：28

英国部署全球第二台200kV电子束光刻设备

近日，英国南安普敦大学宣布，成功开设了日本以外首个分辨率达 5 纳米以下的尖端电子束光刻 (EBL) 中心，可以制造下一代半导体芯片。这也是全球第二个，欧洲首个此类电子束光刻中心。据介绍，该电子束光刻中心采用了日本JEOL的加速电压直写电子束光刻 (EBL) 系统，这也是全球第二台200kV 系统（JEOL JBX-8100 G3）（第一台在日本），其可以在 200 毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理。这可以在厚至 10 微米的光刻胶中实现，且侧壁几乎垂直，可用于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。JEOL的第二代EBL 设备——100kV JEOL JBX-A9 将计划用于支持更大批量的 300 毫米晶圆。来源：中电网

发布时间 : 2025 - 05 - 09

浏览次数：26

共1437条页次6/288首页上一页12345678910...下一页尾页

联系我们关于我们 / contact us

国家工业信息安全发展研究中心

010-68668488 icipa@ccwre.com.cn

86 0755-2788 8009

北京市石景山区鲁谷路35号冠辉大厦12楼

该平台是面向全球、服务全国的，产业化、国际化综合性知识产权创新平台，采用五横两纵架构，不仅实现了对科技资源的有效整合，而且为创新服务业务应用系统提供了安全稳定运行的平台，通过基础设施、数据资源库、应用支撑、安全保障和综合管理五个层面，支撑信息资源共享服务子平台、产业创新大数据服务子平台、现代知识产权综合管理子平台、知识产权运营与金融服务子平台、知识产权托管子平台等五大子平台10多个系统的运行，并依托统一门户网站为用户提供“一站式”服务。

Links / 友情链接:

更多>>

京ICP备18044172号

犀牛云提供企业云服务