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  • 在5nm之后,台积电和三星电子的4nm制程工艺也都已顺利量产,有报道称,高通上月底推出的骁龙8 Gen 1移动处理器,就是交由三星采用4nm制程工艺代工。但最新的报道显示,三星电子4nm制程工艺较低的良品率,已引发高通的不满,他们可能会将部分高端骁龙处理器的代工订单,交由其他厂商,将订单多元化。英文媒体是根据产业链的消息,报道三星4nm工艺良品率较低,促使高通可能将部分订单交由其他厂商的。虽然在报道中并未提及交由哪一家或几家厂商,但目前量产4nm工艺的厂商,只有台积电和三星电子,如果高通转移部分订单,他们也只有台积电可选。在高通目前已经推出的骁龙系列移动处理器中,采用4nm工艺的,只有上月30日推出的骁龙8Gen 1,骁龙888+ 5G和骁龙780G 5G采用的都是5nm工艺。高通若将采用4nm工艺的高端处理器的代工订单多元化,就将是新推出的骁龙8 Gen 1,或者即将推出的其他骁龙新品。
    发布时间 :  2021 - 12 - 07
  • 随着5G版图的不断演进,不少公司均在欧洲电信标准化协会(ETSI)声明专利,但事实上相当一部分专利并不能匹配标准。报告通过与ETSI标准的人工比对,从截至今年3月31日已作5G标准声明的21626族授权专利中,选出了与标准重合度高的标准必要专利,标记出5G核心标准必要专利。报告显示,5G标准声明专利中4796族为5G核心标准必要专利,占总声明专利的22%。各家供应商中,华为在核心专利的持有量、在声明专利中的占比、重要技术领域、终端/基站侧的分布等多个方面中均领先于其他公司。5G核心标准必要专利的持有量方面,华为、三星、LG、高通、诺基亚和爱立信等6家公司合计占比达到70%。不出意外,华为以21%拥有量的绝对优势位居榜首。从5G核心标准必要专利在声明专利中的占比来看,占比高于平均值22%的公司仅有华为、爱立信两家,而华为以27%的占比排名第一。为了更好的了解各家供应商对5G技术的投入,报告亦给出了他们的5G核心专利族的平均剩余寿命。华为、三星、LG、高通和爱立信这5家公司的5G核心必要标准专利平均剩余寿命差距不大,华为和LG最高,均为13.2年。报告还分析了5G核心专利族在3GPP三个技术规范组(TSG)——无线接入网(TSG RAN)、服务和系统方面(TSG SA)以及核心网和终端(TSG CT)的分布情况。78%的5G核心专利族与负责定义网络的功能、需求和接口的TSG RAN相关...
    发布时间 :  2021 - 11 - 29
  • 据最新一期《自然·电子学》杂志发表的论文,美国研究人员开发出一种新的毫米波无线微芯片,该芯片实现了一种可防止拦截的安全无线传输方式,同时又不会降低5G网络的效率和速度。该技术将使窃听5G等高频无线传输变得非常具有挑战性。现有通信加密方法可能难以扩展到5G等高速和超低延迟系统。这是因为加密的本质要求发送方和接收方之间交换信息以加密和解密消息。这种交换使链接容易受到攻击,它还需要增加延迟的计算。对于自动驾驶汽车、机器人和其他网络物理系统而言,最大限度地缩短行动时间至关重要。为了弥补这一安全差距,普林斯顿大学研究人员开发了一种方法,将安全性纳入信号的物理性质。该方法不依赖于加密,而是通过使窃听者所在位置的信号看起来几乎像噪音来挫败其企图。研究人员通过随机分割消息并将消息的不同部分分配给阵列中的天线子集来做到这一点。研究人员能够协调传输,以便只有在预期方向上的接收器才能以正确的顺序组合信号。在其他任何地方,分割后的信号都以类似噪声的方式到达。研究人员称,原则上,这就是传输安全背后的秘密武器——通过对这些高频电磁场进行精确的空间和时间调制来实现。如果窃听者试图通过干扰主传输来截取消息,则会导致传输出现问题并被预期用户检测到。尽管理论上,有可能多个窃听者一起工作来收集类似噪声的信号并尝试将它们重新组合成相干传输,但这样做所需的接收器数量将“非常大”。莱斯大学教授爱德华·奈特...
    发布时间 :  2021 - 11 - 29
受先进人工智能(AI)芯片需求强劲推动,芯片制造设备供应商泛林集团(Lam Research)公布的第三财季营收超出华尔街预期。泛林集团开发半导体制造必不可少的设备,产品主要用于各种晶圆加工和半导体器件的布线。根据伦敦证券交易所汇编的数据,泛林集团截至3月30日的季度营收为47.2亿美元,超过分析师预期的46.5亿美元。该公司第三财季系统收入30.4亿美元,包括沉积、刻蚀、清洗和其他晶圆制造市场的新型尖端设备的销售额。Summit Insights Group高级分析师Kinngai Chan表示,第三财季的“优异表现得益于对中国台湾地区的出货量增加,而对中国大陆的出货量依然强劲。”该财季,泛林集团31%的收入来自中国大陆,24%的收入来自中国台湾。尽管美国出口管制和关税问题持续存在,给半导体行业带来挑战,但该公司仍然取得了强劲的业绩。公司预计第四财季营收为50亿美元,上下浮动3亿美元,而分析师的预期为45.9亿美元。今年2月,泛林集团首席财务官Douglas Bettinger表示,预计到2028年营收将在250亿~280亿美元之间,较2024年的162亿美元大幅增长。  来源:芯探007
发布时间 :  2025 - 04 - 25
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台积电在其2025年北美技术研讨会上透露,计划于2028年开始使用其A14制程技术生产芯片,该技术将超越其现有的最先进的3nm制程和今年晚些时候即将推出的2nm技术。台积电还计划在2026年底推出A16芯片制程。在会上,台积电还表示,公司已按计划在2024年第四季度开始使用其性能增强的N3P(第三代3nm级)制程技术生产芯片。N3P是继N3E之后,针对需要增强性能的同时保留3nm级IP的客户和数据中心应用。然而,3nm级制程技术在高性能应用领域的时代并未止步于N3P。该节点之后台积电将推出N3X,承诺与N3P相比,在相同功率下将最大性能提高5%,或在相同频率下将功耗降低7%。台积电一直保持着稳定的升级步伐,成功吸引了苹果和英伟达的芯片制造业务。该公司今年计划投入约400亿美元的资本支出,其高层管理人员表示,其长期计划仍旨在捕捉强劲的AI驱动需求。台积电高级副总裁张晓强表示,台积电仍然相信半导体整体需求将继续上升,到本十年末,行业总收入将“轻松”超过1万亿美元。尽管这是芯片行业普遍接受的销售目标,但近期投资者对AI泡沫的担忧随着美国宣布广泛的关税而加剧。  来源:集微网
发布时间 :  2025 - 04 - 25
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4月22日消息,据Tom's hardware报道,针对此前台积电因在不知情的情况下为被美国列入黑名单的中企生产AI计算小芯片,或将面临 10 亿美元的罚款一事,台积电在其最新的年度报告中承认,在其代工的芯片离开晶圆厂后,难以确保客户不会将芯片转移,以及了解芯片最终用途。换句话说,台积电不能保证类似的事件不会重演。台积电表示,2024年10月,台积电通知美国和中国台湾有关当局,其所生产的一种客户芯片可能已被转移到受限制实体或用于受限制实体的产品,此后,台积电即持续配合有关当局要求提供更多相关资讯及文件。即使台积电尽最大努力遵守所有相关的出口管制和制裁法规,仍不能保证其商务活动不会被发现有未遵守出口管制法规之情形。台积电解释称,其在半导体供应链中的角色先天限制了其对包含其所制造半导体芯片的最终产品之下游使用或使用者的能见度和信息,从而阻碍了台积电充分确保其所制造的半导体芯片不会被转移(包括经由台积电的业务合作伙伴与具有规避意图的第三方)到非预期的最终用途或最终使用者的能力。此外,如果台积电或台积电的业务合作伙伴未能获得适当的进口、出口或再出口许可,或被发现违反了可适用的出口管制或制裁相关法律,台积电也可能会受到声誉损害以及其他负面后果的不利影响,包括政府调查和相关法律程序导致的处罚。据了解,当台积电与客户签订生产芯片的合同时,会向其提供一个 GDS 文件,其中包含制造该芯片所...
发布时间 :  2025 - 04 - 23
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英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。  集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中,由于GaN器件的有效体二极管电压(VSD)较大,基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长,那么这种情况就会更加严重,导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联,或者通过控制器缩短死区时间。然而,无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管,能显著缓解此类问题,适用于服务器和电信中间总线转换器IBC)、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源(PSU) 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示:随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛,英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术,才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐,进一步推动宽禁带半导体材料的发展。...
发布时间 :  2025 - 04 - 23
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4月17日,国际半导体行业标准组织JEDEC正式发布了新一代高带宽内存标准HBM4。新标准在带宽、通道数、电源效率等方面进行了显著改进,将为生成式AI、高性能计算(HPC)、高端显卡和服务器等领域带来革命性的变化。HBM4 继续使用垂直堆叠的DRAM芯片,这是HBM系列的标志,但与前身HBM3相比,HBM4带来了许多改进,比如在带宽、效率和设计灵活性方面有了重大进步。它支持 2048-bit接口,传输速度高达 8 Gb/s,可以提供高达 2 TB/s 的总带宽。其中一项关键升级是每个堆栈的独立通道增加了一倍,从HBM3的16个增加到HBM4的32个,现在每个通道都有两个伪通道。这种扩展允许在内存操作中实现更大的访问灵活性和并行性。在电源效率方面,HBM4也取得了显著进展。该标准支持供应商特定的VDDQ(0.7V、0.75V、0.8V或0.9V)和VDDC(1.0V或1.05V)电平,从而有效降低了功耗并提高了能源效率。此外,HBM4接口定义确保了与现有HBM3控制器的向后兼容性,允许在各种应用中实现无缝集成,并支持单个控制器在需要时同时与HBM3和HBM4一起工作。HBM4还结合了定向刷新管理(DRFM)技术,以改进行对row-hammer攻击的缓解效果,并拥有更高的可靠性、可用性和可维护性(RAS)。这一特性对于确保数据的安全性和系统的稳定性至关重要。在容量方面,HBM4还支持4...
发布时间 :  2025 - 04 - 18
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