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  • 在5nm之后,台积电和三星电子的4nm制程工艺也都已顺利量产,有报道称,高通上月底推出的骁龙8 Gen 1移动处理器,就是交由三星采用4nm制程工艺代工。但最新的报道显示,三星电子4nm制程工艺较低的良品率,已引发高通的不满,他们可能会将部分高端骁龙处理器的代工订单,交由其他厂商,将订单多元化。英文媒体是根据产业链的消息,报道三星4nm工艺良品率较低,促使高通可能将部分订单交由其他厂商的。虽然在报道中并未提及交由哪一家或几家厂商,但目前量产4nm工艺的厂商,只有台积电和三星电子,如果高通转移部分订单,他们也只有台积电可选。在高通目前已经推出的骁龙系列移动处理器中,采用4nm工艺的,只有上月30日推出的骁龙8Gen 1,骁龙888+ 5G和骁龙780G 5G采用的都是5nm工艺。高通若将采用4nm工艺的高端处理器的代工订单多元化,就将是新推出的骁龙8 Gen 1,或者即将推出的其他骁龙新品。
    发布时间 :  2021 - 12 - 07
  • 随着5G版图的不断演进,不少公司均在欧洲电信标准化协会(ETSI)声明专利,但事实上相当一部分专利并不能匹配标准。报告通过与ETSI标准的人工比对,从截至今年3月31日已作5G标准声明的21626族授权专利中,选出了与标准重合度高的标准必要专利,标记出5G核心标准必要专利。报告显示,5G标准声明专利中4796族为5G核心标准必要专利,占总声明专利的22%。各家供应商中,华为在核心专利的持有量、在声明专利中的占比、重要技术领域、终端/基站侧的分布等多个方面中均领先于其他公司。5G核心标准必要专利的持有量方面,华为、三星、LG、高通、诺基亚和爱立信等6家公司合计占比达到70%。不出意外,华为以21%拥有量的绝对优势位居榜首。从5G核心标准必要专利在声明专利中的占比来看,占比高于平均值22%的公司仅有华为、爱立信两家,而华为以27%的占比排名第一。为了更好的了解各家供应商对5G技术的投入,报告亦给出了他们的5G核心专利族的平均剩余寿命。华为、三星、LG、高通和爱立信这5家公司的5G核心必要标准专利平均剩余寿命差距不大,华为和LG最高,均为13.2年。报告还分析了5G核心专利族在3GPP三个技术规范组(TSG)——无线接入网(TSG RAN)、服务和系统方面(TSG SA)以及核心网和终端(TSG CT)的分布情况。78%的5G核心专利族与负责定义网络的功能、需求和接口的TSG RAN相关...
    发布时间 :  2021 - 11 - 29
  • 据最新一期《自然·电子学》杂志发表的论文,美国研究人员开发出一种新的毫米波无线微芯片,该芯片实现了一种可防止拦截的安全无线传输方式,同时又不会降低5G网络的效率和速度。该技术将使窃听5G等高频无线传输变得非常具有挑战性。现有通信加密方法可能难以扩展到5G等高速和超低延迟系统。这是因为加密的本质要求发送方和接收方之间交换信息以加密和解密消息。这种交换使链接容易受到攻击,它还需要增加延迟的计算。对于自动驾驶汽车、机器人和其他网络物理系统而言,最大限度地缩短行动时间至关重要。为了弥补这一安全差距,普林斯顿大学研究人员开发了一种方法,将安全性纳入信号的物理性质。该方法不依赖于加密,而是通过使窃听者所在位置的信号看起来几乎像噪音来挫败其企图。研究人员通过随机分割消息并将消息的不同部分分配给阵列中的天线子集来做到这一点。研究人员能够协调传输,以便只有在预期方向上的接收器才能以正确的顺序组合信号。在其他任何地方,分割后的信号都以类似噪声的方式到达。研究人员称,原则上,这就是传输安全背后的秘密武器——通过对这些高频电磁场进行精确的空间和时间调制来实现。如果窃听者试图通过干扰主传输来截取消息,则会导致传输出现问题并被预期用户检测到。尽管理论上,有可能多个窃听者一起工作来收集类似噪声的信号并尝试将它们重新组合成相干传输,但这样做所需的接收器数量将“非常大”。莱斯大学教授爱德华·奈特...
    发布时间 :  2021 - 11 - 29
英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。  集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中,由于GaN器件的有效体二极管电压(VSD)较大,基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长,那么这种情况就会更加严重,导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联,或者通过控制器缩短死区时间。然而,无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管,能显著缓解此类问题,适用于服务器和电信中间总线转换器IBC)、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源(PSU) 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示:随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛,英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术,才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐,进一步推动宽禁带半导体材料的发展。...
发布时间 :  2025 - 04 - 23
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4月17日,国际半导体行业标准组织JEDEC正式发布了新一代高带宽内存标准HBM4。新标准在带宽、通道数、电源效率等方面进行了显著改进,将为生成式AI、高性能计算(HPC)、高端显卡和服务器等领域带来革命性的变化。HBM4 继续使用垂直堆叠的DRAM芯片,这是HBM系列的标志,但与前身HBM3相比,HBM4带来了许多改进,比如在带宽、效率和设计灵活性方面有了重大进步。它支持 2048-bit接口,传输速度高达 8 Gb/s,可以提供高达 2 TB/s 的总带宽。其中一项关键升级是每个堆栈的独立通道增加了一倍,从HBM3的16个增加到HBM4的32个,现在每个通道都有两个伪通道。这种扩展允许在内存操作中实现更大的访问灵活性和并行性。在电源效率方面,HBM4也取得了显著进展。该标准支持供应商特定的VDDQ(0.7V、0.75V、0.8V或0.9V)和VDDC(1.0V或1.05V)电平,从而有效降低了功耗并提高了能源效率。此外,HBM4接口定义确保了与现有HBM3控制器的向后兼容性,允许在各种应用中实现无缝集成,并支持单个控制器在需要时同时与HBM3和HBM4一起工作。HBM4还结合了定向刷新管理(DRFM)技术,以改进行对row-hammer攻击的缓解效果,并拥有更高的可靠性、可用性和可维护性(RAS)。这一特性对于确保数据的安全性和系统的稳定性至关重要。在容量方面,HBM4还支持4...
发布时间 :  2025 - 04 - 18
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近日,技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens),推出Automotive Sensor(AT)Series系列3MP高性能车规级图像传感器——SC360AT。此款新品是思特威首颗采用CarSens®-XR Gen 2工艺技术打造的Stacked BSI + Rolling Shutter架构图像传感器产品。作为3.0µm像素尺寸图像传感器,SC360AT搭载了SuperPixGain HDR™ 2.0、LFS等多项先进技术,集高感度、高动态范围(高达140dB)、低噪声、低功耗等性能优势并支持LED闪烁抑制,为侧视、后视、环视等多种ADAS应用提供精准可靠的实时影像,满足智能汽车感知系统的升级需求。此外,SC360AT符合ISO 26262 ASIL-B汽车功能安全和ISO 21434汽车网络安全两项车规标准要求,以高可靠性和高安全性,助力汽车智能化与网联化的加速革新。  来源:中电网
发布时间 :  2025 - 04 - 18
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4月15日,处理器大厂AMD 宣布,其代号为Venice的新一代AMD EPYC处理器成为业界首款基于台积电2nm(N2)制程工艺完成投片(tape out)的高性能计算(HPC)产品。这也是AMD首次拿下台积电最新制程工艺的首发,而以往则都是由苹果公司的芯片首发。AMD表示,其代号为Venice的新一代AMD EPYC处理器率先采用台积电2nm制程技术,这展现了AMD与台积电在半导体制造领域的强大合作伙伴关系,共同最佳化全新设计构架与领先的制程技术,也同时代表着AMD在数据中心CPU产品蓝图执行上的重大进展。根据预计,Venice将于2026年如期上市。AMD 同时还宣布,其第5代AMD EPYC CPU产品也已在台积电位于亚利桑那州的新晶圆厂成功启用和验证。AMD 董事长兼首席执行官苏姿丰表示:“台积电多年来一直是AMD重要的合作伙伴,我们与其研发和制造团队的深度合作,使AMD能够持续推出领先业界的产品,突破高性能计算的极限。做为台积电N2制程以及台积电亚利桑那州Fab 21 晶圆厂的首位HPC客户,充分展现了我们如何紧密合作,共同推动创新并提供先进技术,为未来计算增添动能。”台积电董事长兼总裁魏哲家表示:“很荣幸AMD成为首位使用台积电先进2nm(N2)制程技术,以及在我们亚利桑那州晶圆厂生产的HPC客户。透过合作,我们正在推动显著的技术扩展,为高效能芯片带来更卓越的性能、功...
发布时间 :  2025 - 04 - 16
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2025年4月16日,一则来自美国商务部的监管文件,让英伟达陷入了新的困境。自本周一起,英伟达向中国出口H20芯片需申请无限期有效的出口许可。这一决定犹如一颗重磅炸弹,直接冲击了英伟达的财务预期,公司计划在第一财季计提55亿美元费用,这些费用主要涉及库存、采购承诺及储备相关损失。 H20芯片是英伟达为规避美国2022年AI芯片出口禁令推出的“特供”产品,其互联速度仅为H100芯片的1/15,算力参数被严格限制在出口阈值内。尽管性能受限,2024年该芯片仍创收120 - 150亿美元,占英伟达中国区总营收85%,这得益于字节跳动、阿里巴巴、腾讯等中国科技巨头在2025年第一季度的集中采购,下单额超160亿美元,占当季全球H20产能70%。美国对H20芯片政策摇摆不定,2025年1月特朗普政府曾计划将其纳入出口管制,后因英伟达CEO黄仁勋与美方沟通,政策松动,以出口许可制度取代全面禁令,这也导致2024年9月中国客户因预期禁令集中囤货,单月订单金额暴涨300%。如今,H20芯片面临挑战。华为昇腾910B芯片在同等价格区间算力密度更高且适配国产AI框架,形成有力竞争;国家发改委拟实施的能效新规要求单位算力功耗降低18%,H20因架构限制难以达标,虽目前占据80%数据中心采购份额,但2026年合约续签率预计不足40%。不过,H20芯片也有亮点,初创企业DeepSeek用其训练出颠...
发布时间 :  2025 - 04 - 16
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