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  • 据报道,当原本相互竞争的企业突然之间想要合并的时候,监管机构通常都会对此类交易进行阻止。但是对于相互之间并不存在竞争关系的纵向合并,监管机构最近也开始变得越来越严格。最近的一个例子就是是联邦贸易委员会(FTC)处理芯片制造商英伟达对移动设备芯片设计商Arm Holdings的收购的方式,这笔交易引发了巨大的争议。在该机构上周起诉阻止该交易之前,这两家公司提出了和解协议。英伟达与Arm公司之间并不存在竞争,但该交易一直面临着Arm公司的许多客户的强烈反对,因为这些客户是英伟达的竞争对手。因此,世界各地的监管机构一直在试图阻止该交易,并对其进行严格的审查,尽管据参与审查过程的人士称,FTC诉讼的速度比这些公司预期的要快很多。英伟达于去年9月首次宣布收购软银旗下的Arm。由于英伟达的股价上涨,这项主要是股票的交易价值几乎翻了一番,达到750亿美元左右。这项交易遭到了高通公司和其他英伟达竞争对手的反对,他们说这将使Arm不再是半导体行业中的一个关键的中立者,在这个行业中,Arm向500多家公司提供芯片设计许可。英国、欧盟、中国和其他地区的监管机构仍在审查这项交易。英伟达的提议是,他们将成立一家独立企业,对外授权Arm的芯片设计,并向苹果、谷歌、微软和亚马逊等客户提供技术支持。据三位直接了解和解提议的人士称,英伟达将把许可公司的控制权交给新的投资方,该提议此前未被媒体报道。其中一位人士说,这...
    发布时间 :  2021 - 12 - 09
  • IC Insights新版的《麦克林报告》将于明年1月发布,该报告对2022年至2026年半导体行业做了初步概览和年度预测。IC Insights借此阐述了该分析机构一以贯之的数据预估模式,某一年的第一季度和前一年的第四季度(1Q/4Q)成为了评判基准。该数字被标记为“方向指标”,因为实际的1Q/4Q变化并没有直接预测给定年份的最终年度半导体市场增长,而是更准确地描述了年度半导体市场增长率的预期方向和同比强度。例如,2017年1Q/4Q增长0%,半导体市场年增长率为25%,而2011年1Q/4Q增长1%,但全年半导体市场增长率仅为1%,区别在于1Q/4Q变化为与上年1Q/4Q变化相比,即同比增长非常关键。剔除1985年和2001年半导体行业严重衰退之后的几年,IC Insights认为,1Q/4Q环比的季度IC市场变化也是未来年度半导体市场变化方向和强度的良好指标。该模型之所以能很好地反映半导体产业年增长率的方向,在于半导体市场本身的季节性。鉴于半导体行业典型的季度季节性模式,第一季度基本上建立了一个“基础”,未来季度半导体市场增长将建立在此基础之上。总体而言,当某一年的1Q/4Q表现好于上年1Q/4Q的结果时,该年的年增长率可以预期好于上年。当本年度的1Q/4Q表现比上年差时,通常情况相反。从1984年到2020年,1Q/4Q全球半导体市场的平均季节性环比下降为2%。2020年第...
    发布时间 :  2021 - 12 - 08
  • 日前发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出,实施更大力度的研发费用加计扣除、高新技术企业税收优惠等普惠性政策。2021年的政府工作报告提出,延续执行企业研发费用加计扣除75%政策,将制造业企业加计扣除比例提高到100%,用税收优惠机制激励企业加大研发投入,着力推动企业以创新引领发展。3月15日召开的国务院常务会议提出,尽快实施提高制造业企业研发费用加计扣除比例政策,缩短结算期限,让企业当年有感。企业研发费用加计扣除迅速成为纳税人关注的热点。关于研发费用加计扣除您了解吗?网友关心的热点问题有这些↓↓↓一什么是“研发费用加计扣除”?根据《中华人民共和国企业所得税法实施条例》(中华人民共和国国务院令第512号)规定:企业所得税法第三十条第(一)项所称研究开发费用的加计扣除,是指企业为开发新技术、新产品、新工艺发生的研究开发费用,未形成无形资产计入当期损益的,在按照规定据实扣除的基础上,按照研究开发费用的50%加计扣除;形成无形资产的,按照无形资产成本的150%摊销。根据《财政部 税务总局 科技部关于提高研究开发费用税前加计扣除比例的通知》(财税〔2018〕99号)规定:企业开展研发活动中实际发生的研发费用,未形成无形资产计入当期损益的,在按规定据实扣除的基础上,在2018年1月1日至2020年12月31日期间,再按照实际发生额的75%在税前...
    发布时间 :  2021 - 12 - 08
在先进制程的赛道上,3nm制程的热度还未完全消退,2nm制程的角逐已正式开启,在苹果、高通、联发科这三大巨头里,联发科的动作相对更快。据媒体报道,联发科首席执行官蔡力行在COMPUTEX上发表主题演讲,蔡力行表示,过去10年,全球有超过200亿台设备搭载联发科芯片,地球上平均每人有2.5台设备采用联发科芯片。他还宣布,联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段,相较3nm制程,2nm性能将提升15%,功耗下降25%。根据爆料的消息,联发科今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程,明年下半年的天玑9600则会升级为全新的台积电2nm工艺,这将是联发科第一款2nm芯片。据悉,台积电2nm制程采用全新的GAAFET(全环绕栅极场效应晶体管)架构,相较于传统的FinFET架构,GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构,这一变革大幅提升了晶体管密度,有效降低了漏电现象,并显著降低了功耗。伴随着2nm时代的到来,其成本也会跟着水涨船高,消息称台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%,这将导致终端旗舰掀起新一轮涨价潮。  来源:电子创新网
发布时间 :  2025 - 05 - 21
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全球领先的晶圆代工厂台积电近日宣布,将对其先进制程晶圆价格进行调整。据知情人士透露,这一价格调整主要受到海外建厂成本上升及资本支出计划的影响。具体来看,台积电的2nm工艺晶圆价格将较此前上涨10%,若以去年300mm晶圆预估的3万美元计算,新定价将达到3.3万美元左右。此外,台积电还将对其4纳米制造节点的价格进行调整,涨幅预计在10%至30%之间。此次价格调整是台积电在全球半导体供应链中的重要举措,反映了公司在应对全球芯片需求增长和成本上升方面的策略调整。台积电此举旨在保持其在半导体制造领域的竞争力,同时确保公司能够持续投资于研发和扩大生产能力。台积电此次涨价的原因主要有两个方面。首先,公司在美国等海外地区建设晶圆厂的成本上升,这直接导致了生产成本的增加。其次,台积电需要回收其今年高达380亿至420亿美元的资本支出计划,这也是涨价的一个重要考量。台积电的价格调整可能会对整个半导体行业产生连锁反应。一方面,这可能会增加下游客户的成本,尤其是那些依赖台积电先进制程的客户。另一方面,价格上涨可能会影响台积电的市场份额,尤其是在竞争激烈的晶圆代工市场。然而,考虑到台积电在技术上的领先地位,其价格调整可能不会对其市场地位造成太大影响。面对成本上升和市场需求的双重压力,台积电正在积极采取措施以维持其业务的稳定增长。公司将继续加大研发投入,以保持技术领先,并扩大其在全球的生产网络,以满足不断增...
发布时间 :  2025 - 05 - 21
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台积电副总经理张宗生15日在技术论坛上表示,随着全球AI应用与高效能运算(HPC)需求快速扩张,台积电持续加快制程升级与全球建厂脚步,今年预计新增9座厂区,包括8座晶圆厂与1座先进封装厂,3nm今年产能将大幅提升,成长有望超过6成。台积电3nm量产已经迈入第三年,张宗生指出,今年3nm产能预计年增加60%,2025年下半年将开始量产2nm。CoWoS持续扩充,海外美国厂与日本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到,AI驱动晶圆需求持续放大,台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与海外扩建9个厂,包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去平均每年盖5个厂,中国台湾方面台中Fab 25厂预计2028年量产2nm与更先进技术,高雄预计建五座晶圆厂包含A16与更先进制程技术。封装领域方面,张宗生表示,台积电3D Fabric平台整合SYC与COAS技术,在复杂性大幅提升的同时仍维持高良率表现。自2022年至2026年,SYC与COAS产能分别成长逾100%与80%。位于台中、嘉义、竹南与龙潭的新封装厂将支援大量AI与HPC应用需求,并规划设立海外封装基地。  来源:艾邦半导体网
发布时间 :  2025 - 05 - 16
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5月13日消息,市场研究机构Omdia发布的最新报告显示,英伟达在2024年全球芯片公司营收排名中跃居首位,这一突破性表现标志着AI驱动的半导体产业迎来结构性变革。与此同时,英飞凌和意法半导体因传统市场需求疲软跌出前十名,凸显行业分化加剧的趋势。 AI与HBM需求引爆市场增长Omdia数据显示,2024年全球芯片市场规模达到6830亿美元,同比增长25%,创下历史新高。这一增长主要得益于AI相关芯片的强劲需求,尤其是高带宽内存(HBM)的爆发式增长。AI服务器对算力的极致追求推动HBM成为市场“香饽饽”,SK海力士、美光等厂商的HBM产能在2024年已全部售罄,三星更计划将HBM供应量提升至去年的3倍以上。TrendForce数据显示,2024年HBM在DRAM总产值中的占比已超过20%,预计2025年将突破30%,其单价较传统DRAM高出5倍,成为拉动存储市场增长的核心引擎。行业格局大洗牌:AI与内存厂商崛起在2024年半导体营收排名前二十的芯片供应商中,与AI和内存相关的公司表现亮眼。英伟达凭借AI GPU的绝对优势,全年营收同比激增125%,以超过1243亿美元的IC设计收入占据全球前十IC设计公司总营收的50%,其数据中心业务收入占比持续提升,成为首家登顶全球芯片营收榜首的无晶圆厂企业。三星、SK海力士、美光则受益于HBM和DRAM价格回升,分别以11.8%、7....
发布时间 :  2025 - 05 - 15
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近日,英国南安普敦大学宣布,成功开设了日本以外首个分辨率达 5 纳米以下的尖端电子束光刻 (EBL) 中心,可以制造下一代半导体芯片。这也是全球第二个,欧洲首个此类电子束光刻中心。据介绍,该电子束光刻中心采用了日本JEOL的加速电压直写电子束光刻 (EBL) 系统,这也是全球第二台200kV 系统(JEOL JBX-8100 G3)(第一台在日本),其可以在 200 毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理。这可以在厚至 10 微米的光刻胶中实现,且侧壁几乎垂直,可用于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。JEOL的第二代EBL 设备——100kV JEOL JBX-A9 将计划用于支持更大批量的 300 毫米晶圆。  来源:中电网
发布时间 :  2025 - 05 - 09
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