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  • 三星电子今天宣布,其五款存储产品因成功减少碳排放而获得全球认可,另有20款存储产品获得碳足迹认证。三星的汽车LED封装也获得了碳足迹认证,这在汽车LED封装行业中尚属首次,进一步扩大了三星具有生态意识的'绿色芯片'组合。五款三星存储产品包括HBM2E(8GB)、GDDR6(8Gb)、UFS 3.1(512GB)、便携式SSD T7(1TB)、microSD EVO Select(128GB)--最近获得了碳信托组织的'Reducing CO2'标签。这五种产品的前一版本已于去年获得了碳信托基金的'二氧化碳测量'认证。碳信托基金最近还对20种内存产品的产品碳足迹进行了认证,给它们贴上了'CO2 Measured'产品碳足迹标签。碳信托是一个独立的专家组织合作伙伴,为企业在可持续发展的低碳世界中的机会提供建议。碳信托组织还对组织、供应链和产品的环境足迹进行认证。减少二氧化碳标签证明了产品的碳排放已经减少。三星能够通过提高生产效率来减少五种内存产品的碳排放。这意味着每块芯片使用的电力和原材料更少。对于便携式固态硬盘T7(1TB),三星使用环境可持续的纸张而不是塑料作为包装材料,以尽量减少产品的碳排放量。三星估计,这五种产品在发布后到2021年7月所减少的碳排放量约为68万公吨二氧化碳,相当于1130万棵城市树苗生长...
    发布时间 :  2021 - 11 - 23
  • 据消息人士透露,在德克萨斯州奥斯汀已拥有代工业务的三星电子,内部已选择泰勒市作为其在美国的第二大代工基地,正在等待芯片行业激励相关法案的批准。据韩媒《每日经济新闻》报道,三星电子副会长李在镕于当地时间上周四和周五访问了白宫和国会大厦,会见了白宫高级官员,讨论了解决全球芯片供应链中断问题的措施以及美国对芯片公司的激励措施,谈到三星电子在帮助解决供应链瓶颈方面的作用。李在镕还会见了负责芯片激励法案的美国国会议员,并要求尽快批准这项悬而未决的芯片激励相关法案。与其会面的美国国会一位消息人士表示,三星电子将在本周公布其代工项目的细节,170亿美元将成为其有史以来最大规模的海外支出。据有关人士透露,作为投资的回报,三星电子得到了泰勒市、泰勒独立学区、威廉姆森郡的巨额奖励。如果美国众议院通过《CHIPS for America Act》,三星电子还可以得到联邦政府的奖励。根据市调机构Counterpoint research统计,截至今年6月,台积电的全球代工市场占有率为58%,三星电子为14%。作为在美国市场仅次于台积电的代工厂,三星电子为了迎头赶上,积极推进了在美代工投资。业界推测,如果三星的美国新工厂明年初能成功开工,将负责生产5nm以下的芯片,最早将于2024年开始批量生产。(校对/LL)
    发布时间 :  2021 - 11 - 22
  • 摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)表示,随着10月马来西亚芯片产量增加,晶圆厂恢复满产,芯片短缺应该已结束,汽车产量和云端数据中心服务器出货量预计都将有所改善。根据大摩对产业链的观察,马来西亚所有的晶圆厂在10月末,劳动力已恢复至100%。马来西亚晶圆厂营运正恢复正常,而晶圆厂员工将定期接受新冠检测。另外,大摩针对內存芯片产业链观察发现,在亚洲被压抑的服务器出货需求正在释放。随着PMIC(电源管理IC)组件限制缓解,10月服务器生产有所改善。服务器代工Q4出货量预期,从先前的季减2%调升为季增2%,为服务器DRAM(动态随机存取內存)出货量提供上行空间,服务器远端管理芯片(BMC)供应商信骅(5274)也看到订单上涨。全球汽车生产也开始逐步复苏,《CNN》报导,德国汽车大厂大众(Volkswagen)CEO迪斯(Herbert Diess)表示,芯片短缺导致第三季度获利大幅受创,但现在芯片供应状况已经有所改善,希望未来几个月能持续增加产能。此外,日本汽车大厂丰田(Toyota)也在逐步缩小减产幅度,到12月生产可能会恢复正常。大摩认为,当汽车制造商将库存政策从“及时”转变为“以防万一”,未来几季车用芯片需求预计将维持强劲。然而这种情况是否会持续,将取决于电动汽车和自动驾驶技术所需的芯片增量。据分析预估,汽车产量与车用芯片收入之间仍有约15%的差距,大摩指出,除非汽车所...
    发布时间 :  2021 - 11 - 17
4月22日消息,据Tom's hardware报道,针对此前台积电因在不知情的情况下为被美国列入黑名单的中企生产AI计算小芯片,或将面临 10 亿美元的罚款一事,台积电在其最新的年度报告中承认,在其代工的芯片离开晶圆厂后,难以确保客户不会将芯片转移,以及了解芯片最终用途。换句话说,台积电不能保证类似的事件不会重演。台积电表示,2024年10月,台积电通知美国和中国台湾有关当局,其所生产的一种客户芯片可能已被转移到受限制实体或用于受限制实体的产品,此后,台积电即持续配合有关当局要求提供更多相关资讯及文件。即使台积电尽最大努力遵守所有相关的出口管制和制裁法规,仍不能保证其商务活动不会被发现有未遵守出口管制法规之情形。台积电解释称,其在半导体供应链中的角色先天限制了其对包含其所制造半导体芯片的最终产品之下游使用或使用者的能见度和信息,从而阻碍了台积电充分确保其所制造的半导体芯片不会被转移(包括经由台积电的业务合作伙伴与具有规避意图的第三方)到非预期的最终用途或最终使用者的能力。此外,如果台积电或台积电的业务合作伙伴未能获得适当的进口、出口或再出口许可,或被发现违反了可适用的出口管制或制裁相关法律,台积电也可能会受到声誉损害以及其他负面后果的不利影响,包括政府调查和相关法律程序导致的处罚。据了解,当台积电与客户签订生产芯片的合同时,会向其提供一个 GDS 文件,其中包含制造该芯片所...
发布时间 :  2025 - 04 - 23
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英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。  集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中,由于GaN器件的有效体二极管电压(VSD)较大,基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长,那么这种情况就会更加严重,导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联,或者通过控制器缩短死区时间。然而,无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管,能显著缓解此类问题,适用于服务器和电信中间总线转换器IBC)、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源(PSU) 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示:随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛,英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术,才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐,进一步推动宽禁带半导体材料的发展。...
发布时间 :  2025 - 04 - 23
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4月17日,国际半导体行业标准组织JEDEC正式发布了新一代高带宽内存标准HBM4。新标准在带宽、通道数、电源效率等方面进行了显著改进,将为生成式AI、高性能计算(HPC)、高端显卡和服务器等领域带来革命性的变化。HBM4 继续使用垂直堆叠的DRAM芯片,这是HBM系列的标志,但与前身HBM3相比,HBM4带来了许多改进,比如在带宽、效率和设计灵活性方面有了重大进步。它支持 2048-bit接口,传输速度高达 8 Gb/s,可以提供高达 2 TB/s 的总带宽。其中一项关键升级是每个堆栈的独立通道增加了一倍,从HBM3的16个增加到HBM4的32个,现在每个通道都有两个伪通道。这种扩展允许在内存操作中实现更大的访问灵活性和并行性。在电源效率方面,HBM4也取得了显著进展。该标准支持供应商特定的VDDQ(0.7V、0.75V、0.8V或0.9V)和VDDC(1.0V或1.05V)电平,从而有效降低了功耗并提高了能源效率。此外,HBM4接口定义确保了与现有HBM3控制器的向后兼容性,允许在各种应用中实现无缝集成,并支持单个控制器在需要时同时与HBM3和HBM4一起工作。HBM4还结合了定向刷新管理(DRFM)技术,以改进行对row-hammer攻击的缓解效果,并拥有更高的可靠性、可用性和可维护性(RAS)。这一特性对于确保数据的安全性和系统的稳定性至关重要。在容量方面,HBM4还支持4...
发布时间 :  2025 - 04 - 18
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近日,技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens),推出Automotive Sensor(AT)Series系列3MP高性能车规级图像传感器——SC360AT。此款新品是思特威首颗采用CarSens®-XR Gen 2工艺技术打造的Stacked BSI + Rolling Shutter架构图像传感器产品。作为3.0µm像素尺寸图像传感器,SC360AT搭载了SuperPixGain HDR™ 2.0、LFS等多项先进技术,集高感度、高动态范围(高达140dB)、低噪声、低功耗等性能优势并支持LED闪烁抑制,为侧视、后视、环视等多种ADAS应用提供精准可靠的实时影像,满足智能汽车感知系统的升级需求。此外,SC360AT符合ISO 26262 ASIL-B汽车功能安全和ISO 21434汽车网络安全两项车规标准要求,以高可靠性和高安全性,助力汽车智能化与网联化的加速革新。  来源:中电网
发布时间 :  2025 - 04 - 18
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4月15日,处理器大厂AMD 宣布,其代号为Venice的新一代AMD EPYC处理器成为业界首款基于台积电2nm(N2)制程工艺完成投片(tape out)的高性能计算(HPC)产品。这也是AMD首次拿下台积电最新制程工艺的首发,而以往则都是由苹果公司的芯片首发。AMD表示,其代号为Venice的新一代AMD EPYC处理器率先采用台积电2nm制程技术,这展现了AMD与台积电在半导体制造领域的强大合作伙伴关系,共同最佳化全新设计构架与领先的制程技术,也同时代表着AMD在数据中心CPU产品蓝图执行上的重大进展。根据预计,Venice将于2026年如期上市。AMD 同时还宣布,其第5代AMD EPYC CPU产品也已在台积电位于亚利桑那州的新晶圆厂成功启用和验证。AMD 董事长兼首席执行官苏姿丰表示:“台积电多年来一直是AMD重要的合作伙伴,我们与其研发和制造团队的深度合作,使AMD能够持续推出领先业界的产品,突破高性能计算的极限。做为台积电N2制程以及台积电亚利桑那州Fab 21 晶圆厂的首位HPC客户,充分展现了我们如何紧密合作,共同推动创新并提供先进技术,为未来计算增添动能。”台积电董事长兼总裁魏哲家表示:“很荣幸AMD成为首位使用台积电先进2nm(N2)制程技术,以及在我们亚利桑那州晶圆厂生产的HPC客户。透过合作,我们正在推动显著的技术扩展,为高效能芯片带来更卓越的性能、功...
发布时间 :  2025 - 04 - 16
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